2015-05-26
1373
Свойство полупроводников, которое делает их наиболее полезным для создания электронных приборов, является то, что их проводимость может быть легко изменена введением примесей в их кристаллическую решетку. Процесс добавления примесей в полупроводник известен как легирование. Количество примеси или легирующего элемента, добавленного к собственному (чистому) полупроводнику меняет уровень его проводимости. Легированные полупроводники часто называются примесными.
Материалы, которые выбираются в качестве легирующего элемента, зависят от атомных свойств и легирующего элемента, и материала, который должен быть легирован. В общем, легирующие элементы, которые производят желаемые управляемые изменения классифицируются как акцепторы элекронов или доноры. Атом - донор, который активизируется, отдает слабо-связанные валентные электроны материалу, создавая избыточные отрицательные носители заряда. Эти слабо-связанные электроны могут двигаться в кристаллической решетке сравнительно свободно и могут облегчать электропроводимость в присутствии электрического поля. И наоборот, активизированный акцептор оставляет дырку. Полупроводники, легированные донорными примесями, называются полупроводниками n -типа, а легированные акцепторными примесями известны как полупроводники р -типа. Обозначения n и p- типы указывают на то какой носитель заряда выступает в качестве основного носителя в материале. Противоположный носитель называется неосновным носителем, который существует в результате термического возбуждения в гораздо более низкой концентрации по сравнению с основным носителем.
Например, чистый полупроводник кремний имеет четыре валентных электрона. Для кремния наиболее подходящими легирующими элементами являются 13 группа (известная как группа III) и 15 группа по ИЮПАК (известная как группа V). Все элементы 13 группы содержат три валентных электрона, что заставляет их вести себя как акцепторы при легировании кремния. Элементы группы 15 имеют пять валентных электронов, которые позволяют им действовать как доноры. Следовательно, кристалл кремния, легированный бором, создает дырочный полупроводник, а легированный фосфором полупроводник с электронной проводимостью.
