Характеристики и параметры

Биполярного транзистора

Отчет

по лабораторной работе № 6

по курсу “Электроника”

Студент группы

М – 72н Куликов А.П.

Преподаватель

Доц.к.т.н.

(Отчет подписывается автором (бригадиром) и проставляется число)

Екатеринбург, 2010

Таблица вариантов

Вариант выбирается согласно порядковому номеру в групповом журнале.

Нечетные номера выбирают транзистор в закладке ‘Motorol 1’, четные – в закладке ‘National 2’.

Выбранные транзисторы буду использоваться в последующих лабораторных работах.

Motorol 1	National 2
№	Тип транзистора	№	Тип транзистора
	BC394		PN2369
	BSSS71		PN2369A
	BF258		PN4274
	BSX20		PN4275
	Q2N1893		PN5134
	Q2N2895		PN5135
	Q2N2896		PN5136
	Q2N3500		PN5137
	Q2N3501		PN3642
	Q2N4014		PN3641
	Q2N4400		PN5134

Библиографический список

1. Попов В.П. Основы теории цепей/ Учебник для ВУЗов.-М.: ВШ. 1985.-496 с.

2. Глазенко Т.А., Прянишников В.А. Электротехника и основы электроники. М.: Высшая школа. 1-е изд. –1985, 2-е изд. –1996.

Порядок выполнения работы

3.1 Снять семейство входных характеристик транзистора I_б=F(U_бЭ) при U_КЭ=Const. При снятии входных характеристик удобнее задавать значения тока базы и измерять напряжение между базой и эмиттером U_бЭ.
Рекомендуемый ряд значений тока базы приведен в таблице 1, строка I_б. Уменьшить напряжение источника V1 до 0,1 В и повторить измерения.

По результатам измерений заполнить таблицу 1 строки 2 и 3.

Таблица 1

ТºС

Iб(мкА)

V1=0,1В

UбЭ(мВ)

V1=5В

UбЭ(мВ)

V1=5В

UбЭ(мВ)

3.2. Снять входную характеристику I_б=F(U_бЭ) при V1 =5В и температуре окружающей среды Т=60ºС. Для установки температуры войти в меню Analysis, выбрать опцию Analysis options. В открывшемся окне выделить вкладку Global и установить значение переменной Simulation temperature (TEMP) равное заданной температуре 60 degrees C. (Значение температуры высвечивается в нижней строке экрана). Выполнить измерения и заполнить строку 4.
Установить прежнее значение температуры 27 degrees C (27ºС или 300ºК).

3.3. Снять семейство выходных статических характеристик транзистора I_К = F(U_КЭ) при I_б = Const. Напряжение между коллектором и эмиттером U_КЭ задает источник V1.

Для этого устанавливается ток базы I_б = 20 мкА (μА). Изменяется напряжение на коллекторе и записывается значение тока коллектора I_К в строки. Устанавливается следующее значение тока базы и опыт повторяется.

Значения напряжения на коллекторе указаны в таблице.

Таблица 2

ТºС	Uкэ(В)		0,1
	Iб=20 μА	IК
Iб=40	IК
Iб=60	IК
Iб=80	IК
Iб=120	IК
	Iб=60 Iб=80	IК

3.4 Снять две выходных характеристики I_К= F(U_КЭ) при температуре окружающей среды Т = 60ºС и I_б = 60 мкА и 80 мкА.