Часть 1 Диод и диодные схемы

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

Учебное пособие

Часть 1 Диод и диодные схемы

1 Теоретические сведения

1.1 Выпрямительные диоды

Диод – простой электронный прибор с двумя электродами, имеющий несимметричную характеристику выходного тока, протекающего через него и зависящего от входного напряжения (амплитуды и полярности).

Такая характеристика позволяет использовать диод во многих электронных устройствах в качестве элемента, который легко пропускает ток в одном направлении и почти не пропускает в противоположном, в частности для выпрямления переменных токов и детектирования модулированных колебаний и т. п. Полупроводниковый диод работает на принципе использования свойств p-n перехода, возникающего при соединении полупроводников n- и p-типов.

Полупроводники p и n, образующие переход, отличаются типом основных носителей и их концентрацией. В области p-типа акцепторные примеси увеличивают концентрацию дырок, а в области n-типа донорные примеси обеспечивают преимущественную концентрацию электронов.

Соединение полупроводников обоих типов с разной концентрацией вызывает протекание (диффузию) основных носителей через переход: дырки из p-области переходят в n-область, а электроны из n-области диффузируют в p-область.

Вольт-амперная характеристика p-n-перехода представляет собой зависимость тока через переход при изменении на нем значения и полярности приложенного напряжения. Если приложенное напряжение снижает потенциальный барьер, то оно называется прямым, а если превышает его – обратным напряжением.

В прямой ветви вольт-амперной характеристики, когда внешнее напряжение подключено к p-n-структуре в прямом направлении, т. е. плюсом источника к выводу p-области, а минусом источника – к выводу n-области, при таком подключении источника создаваемое им электрическое поле направлено противоположно внутреннему полю в переходе, что приводит к уменьшению результирующего поля в p-n-переходе. Объемный заряд обоих знаков, сосредоточенный в переходе по разные стороны границы

Рисунок 1.2 Явления в p-n-переходе:

А – начальное состояние p- и n- слоев; б – распределение зарядов в p-n-переходе перед установлением равновесного состояния; в – распределение объемных зарядов в p-n-переходе в равновесном состоянии; г – распределение потенциала; д – направление движения неосновных носителей через переход

раздела, будет определяться не только величиной j₀, но и внешним напряжением U_а. Тогда объемному заряду в переходе будет отвечать напряжение j₀ – U_а, меньшее, чем в отсутствии внешнего источника. Следовательно, уменьшится и обусловленный напряжением объемный заряд в p-n-переходе. Величина j₀ – U_а определяет высоту потенциального барьера в p-n-переходе при включении внешнего напряжения в прямом направлении.

В обратной ветви вольт-амперной характеристики при подключении к диоду источника внешнего напряжения в обратном направлении потенциальный барьер возрастает на величину U_b и становится равным j₀ + U_b. Возросший потенциальный барьер затрудняет прохождение через p-n-переход основных носителей заряда. Через диод будет протекать ток в обратном направлении.

Идеальным диодом называют обычно диод с характеристикой, представленной на графике.

Характеристики реальных диодов отличаются от характеристики идеального диода. Они обладают большой нелинейностью и большим изменением сопротивления, особен но в диапазоне малых напряжений в прямом направлении, и не имеют резкого излома характеристики при нулевом напряжении.