Акцепторные примеси

Если в качестве примеси использовать индий, атомы которого трехвалентны, то характер проводимости полупроводника меняется. Теперь для образования нормальных парно-электронных связей с соседями атому индия не достает электрона. В результате образуется дырка. Число дырок в кристалле равно числу атомов примеси. Такого рода примеси называют акцепторными (принимающими). При наличии электрического поля дырки перемешаются по полю и возникает дырочная проводимость. Полупроводники с преобладанием дырочкой проводимости над электронной называют полупроводниками р-типа (от слова positive — положительный).

Удельная электрическая проводимость полупроводников оп­ределяется концентрацией сво­бодных носителей заряда и их подвижностью. Подвижность носителей заряда ц определяет­ся их эффективной массой, ско­ростью и частотой столкновений с узлами и дефектами кристалли­ческой решетки и в целом слабо зависит от температуры. Поэто­му на характер зависимости элек­тропроводности полупроводни­ков от температуры основное влияние оказывает концентрация носителей заряда.

При комнатной температуре концентрация примесных носителей заряда преобладает над соб­ственной. При дальнейшем повышении температуры происходит истощение примеси, т. е. все валентные электроны примеси перехо­дят в зону проводимости и рост проводимости прекращается. Проводимость остается постоянной до тех пор, пока температура не повысится настолько, что тепловой энергии станет достаточно, чтобы собственные электроны могли перейти в зону проводимости W_c, преодолев запретную зону ΔW. Благодаря этому переходу концентрация носителей заряда начнет резко воз­растать за счет собственных электронов. Концентра­ция собственных атомов полупроводника на несколько порядков больше концентрации атомов примесей, поэтому собственная про­водимость при этой температуре значительно больше примесной. Следовательно, собственная проводимость является определяющей. При высоких температурах полупроводники по проводимости приближаются к проводникам.

При большой концентрации примесей зона дополнительных энергетических уровней сливается с зоной проводимости. В этом случае уже при комнатной температуре все валентные электроны примеси находятся в зоне проводимости, являясь носителями заря­дов, и их концентрация не зависит от температуры. Такой полу­проводник называют вырожденным примесным полупроводником. В таком полупроводнике концентрация примесей не влияет на соб­ственную проводимость.

Повышение проводимости полупроводников с ростом температу­ры свидетельствует о том, что полупроводники обладают отрицатель­ным температурным коэффициентом удельного электрического сопро­тивления КТр. Эту зависимость используют для создания полупровод­никовых первичных преобразователей температуры - термисторов.

Собственная электрическая проводимость кремния и германия проявляется при сравнительно низких температурах, поэтому тем­пературный диапазон большинства полупроводниковых приборов невелик (до 1ОО...15О°С).