Фотовольтаический эффект

Цель работы

Целью работы является определение подвижности носи-телей тока в полупроводнике с помощью фотовольтаичес-кого эффекта.

ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ

Появление электродвижущей силы, возникающей в по-лупроводнике при поглощении в нем электромагнитного из-лучения (фотонов) называется фотовольтаическим эффек-том. Этот эффект обусловлен пространственным разделе-нием генерируемых излучением носителей заряда (фотоно-сителей). Разделение фотоносителей происходит в процессе их диффузии и дрейфа, например в электрическом поле из-за неравномерной генерации, неоднородности кристалла и др.

Вентильная (барьерная) фотоЭДС возникает в неодно-родных по химическому составу или неоднороднолегиро-ванных примесями полупроводниках. Вентильная фотоэдс может появляться в полупроводнике под действием света, генерирующего и электроны, и дырки, или только неоснов-ные носители. Для практических применений вентильная фотоэдс, возникающая в p-n переходе или полупроводни-ковом гетеропереходе очень важна. Она используется в фотоэлектронных приборах: фотовольтаических элементах, солнечных элементах. По величине вентильной фотоэдс можно выявлять слабые неоднородности в полупровод-никовых материалах.

Наиболее универсальными фотоприемниками с p-n пе-реходами являются диоды, транзисторы и т. д. Они в боль-шинстве случаев изготавливаются на основе кремния и их максимальная спектральная чувствительность находится вблизи = 0,7…0,9 мкм.