Общие сведения о транзисторах

Измерение характеристик и определение параметров транзистора по схеме с общей базой

ЦЕЛЬ РАБОТЫ

Цель работы состоит в определении входных и выходных характеристик транзистора по схеме с общей базой и вычислении на этой основе h –параметров транзистора.

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ТРАНЗИСТОРАХ

В 1948 году Д. Бардин и В. Брайтен обнаружили, что по-лупроводниковые устройства с двумя p-n переходами спо-собны создавать усиление электрических колебаний по мощ-ности. Они назвали это устройство транзистором (от анг-лийских слов ”transfer” – преобразователь и “resistor” – со-противление).

В настоящее время промышленность выпускает плос-костные транзисторы, представляющие собой монокристалл полупроводника, в котором две области с проводимостью одного типа разделены областью с проводимостью про-тивоположного типа. Таким образом могут быть получены структуры p-n-p и n-p-n типа (рис. 1).

Между областями с разными типами проводимости обра-зуются p-n переходы. P-n переход, образующийся между эмиттером и базой, называется эмиттерным переходом (ЭП); переход, образующийся между базой и коллектором, на-зывают коллекторным переходом (КП).

Дырки (в p-n-p транзисторе), создающие эмиттерный ток, из области эмиттера попадают в очень узкую (10-50 мкм) n -область базы, откуда большая их часть (95-99%) проходит в p -область к коллектору, образуя коллекторный ток I_к. Остальные дырки образуют ток базы I_б Для суммы всех токов с учетом их направлений (рис. 2а) справедливо равенство I_э+I_б+I_к=0. Следует помнить, что ток, направ-ленный к транзистору, считается положительным, от тран-зистора – отрицательным, причем направление тока опре-деляется направлением движения положительных зарядов.

Транзистор, выполняя те же функции, что и электронная лампа – триод, обладает целым рядом преимуществ: отсут-ствием цепи накала, более высоким КПД, малыми раз-мерами, весом и др.