2015-05-30
1180
1.Ширина перехода настолько мала, что в обедненном слое отсутствуют процессы генерации, рекомбинации и рассеяния, и токи на границах перехода равны.
2.Вне обедненного слоя нет электрического поля и здесь носители движутся только в следствии диффузии.
3.Концентрация дырок инжектированных в базу невелика – низкий уровень инжекции.
4.Сопротивление нейтральных областей << сопротивления перехода.
5.Внешнее напряжение не превышает напряжение пробоя.
6.Толщины нейтральных областей намного на много больше диффузионной длины W>>Lдиф.
Прямое напряжение
Определим ∆np(x) и ∆pn(x)
В глубине нейтр.слоев избыт.концентр. стремятся к нулю вследствие рекомбинации.
pn → ∆pn т.к. pn0 = const
∆pn=pn-pn0
С учетом W>>L
Для транзистора W<L
Плотность диффузионного тока:
; 
.
.
Тепловой ток:
Ток I0 называется тепловым током перехода или обратным током насыщения. Обусловлен термогенерацией неосновных носителей в нейтральных областях, прилегающих к переходу.
Тепловой ток резко уменьшается при увеличении ширины запрещенной зоны.
ВАХ p-n перехода:
. Вентильные свойства перехода тем лучше, чем меньше обратный ток (при заданном Uобр) и чем меньше прямой ток (при заданном Uпр). Изменение тока 
в одном направлении сопровождается изменением U в другом направлении.
