double arrow

Классификация изделий микроэлектроники

Микроэлектроника подразделяется на интегральную и функциональную.

Современная микроэлектроника, главным образом, является интегральной. В основу интегральной микроэлектроники положен схемотехнический принцип. Это означает, что электрические схемы микроэлектронных изделий (микросхем) разрабатываются на базе электрорадиоэлементов (резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов и т.п.) и на основе теории электрических цепей. В микросхемах элементы объединяются (интегрируются) в объеме полупроводника или на поверхности диэлектрической подложки.

Микроэлектронные устройства, в которых для выполнения функций используются разные (не только электрические) физические эффекты - оптические, акустические, пьезоэлектрические, магнитные, тепловые и др. - называются устройствами функциональной микроэлектроники. В устройстве функциональной микроэлектроники невозможно выделить область, соответствующую конкретному электрорадиоэлементу.

К конструктивно-вспомогательным изделиям микроэлектроники, обеспечивающим микроминиатюрное выполнение аппаратуры, относятся миниатюрные устройства индикации, переключатели, микросоединители, гибкие кабели, коммутационные платы, дискретные микрокомпоненты.

В зависимости от функций, которые выполняют микросхемы, их разделяют на цифровые и аналоговые.

Цифровые микросхемы предназначены для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции. Цифровые микросхемы используются для построения логических устройств, например, электронно-вычислительных машин (ЭВМ). Сигналы (или информация) в современных ЭВМ принимают два разных значения напряжения или тока: низкий или высокий. Это соответствует в двоичной системе исчисления символам 0 и 1.

Аналоговые микросхемы предназначены для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции. В аналоговых микросхемах выходные сигналы часто подобны по форме входным сигналам, например, в усилителях.

В зависимости от технологии изготовления, микросхемы могут быть

· полупроводниковые,

· пленочные

· или гибридные.

Полупроводниковые микросхемы содержат активные и пассивные элементы, которые изготовлены в одном монокристалле полупроводника. Часть соединений между элементами осуществляется в объеме, а часть - на поверхности защитного слоя кристалла.

Гибридные микросхемы содержат пленочные элементы (резисторы, конденсаторы и проводники, соединяющие элементы и компоненты) и бескорпусные активные компоненты (диоды, транзисторы и полупроводниковые микросхемы), которые размещены на поверхности диэлектрической подложки. Гибридные микросхемы могут содержать также пассивные миниатюрные компоненты: резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и прочее.

Гибридные микросхемы по технологии изготовления делятся на тонкопленочные и толстопленочные.

В тонкопленочной схеме толщина пленок, из которых изготовляют элементы, не превышает 1 мкм. Пленки изготовляют преимущественно методами вакуумного распыления и осаждения.

Толстопленочная схема имеет толщину пленок 10...70 мкм. Элементы толстопленочной схемы изготовляются методами трафаретной печати.

Стандартизированы количественные и качественные меры оценки сложности микросхем. Степень интеграции ИС характеризуется числом элементов и компонентов, которые помещаются в ней, и оценивается как

К = lgN, где N - число элементов и компонентов ИС, а значение К округляется до ближайшего большего целого числа. Соответственно с этим ИС, например, третьей степени интеграции содержит от 101 до 1000 элементов и компонентов. При качественной оценке сложности микросхемы (малая, средняя, большая, сверхбольшая) определение зависит от числа элементов, разновидности ИС (цифровая или аналоговая), и от типа технологии ее изготовления. Взаимное соответствие качественных оценок и числа элементов микросхем представлено в табл.8.1

Таблица 8.1 Классификация микросхем по степени интеграции

  Степень интеграции   Вид ИС   Технология изготовления ИС Количество элементов и компонентов на кристалле
Маленькая интегральная микросхема (МИС) Цифровая Аналоговая Биполярная, униполярная Биполярная 1...300 1...30
Средняя интегральная микросхема (СИС) Цифровая Цифровая Аналоговая Униполярная Биполярная Биполярная, униполярная 101...1000 101...500 31...100
Большая интегральная микросхема (БИС) Цифровая Цифровая Аналоговая Униполярная Биполярная Биполярная, униполярная 1001...10000 501...2000 101...300
Сверхбольшая интегральная микросхема (СБИС) Цифровая Цифровая Аналоговая Униполярная Биполярная Биполярная, униполярная Больше 10000 Больше 2000 Больше 300

Наибольшуя степень интеграции имеют полупроводниковые микросхемы на МДП-транзисторах, вслед за ними идут полупроводниковые микросхемы на биполярных транзисторах, потом тонкопленочные и, в конце концов, толстопленочные.


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



Сейчас читают про: