2015-06-05
1115
Арсенид-галлиевый полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n-типа, а также его модель описываются предложениями:
Вххх <узел стока> <узел затвора> <узел истока> <имя модели>
+ [(коэффициент кратности Area)]
.model <имя модели> gasfet(параметры)
Рис. 51. Подключение GaAs транзистора
Таблица 5. Параметры математической модели GaAs транзистора
| Параметр | Описание | Значение по умолчанию | Единица измерения |
| LEVEL | Тип модели: 1 — модель Куртиса, 2 — модель Рэйтеона | — | |
| VTO | Пороговое напряжение | -2,5 | В |
| VBI | Контактная разность потенциалов | 1,0 | В |
| ALPHA | Константа, определяющая ток Idrain | 2,0 | 1/В |
| В | Параметр легирования (для LEVEL = 2) | 0,3 | В-' |
| BETA | Коэффициент пропорциональности в выражении для тока стока | 0,1 | А/В: |
| LAMBDA | Коэффициент модуляции длины канала | 1/В | |
| RG | Объемное сопротивление затвора | Ом | |
| RD | Объемное сопротивление стока | Ом | |
| RS | Объемное сопротивление истока | Ом | |
| CGD | Емкость перехода затвор — сток при нулевом смещении | Ф | |
| CGS | Емкость перехода затвор — исток при нулевом смещении | Ф | |
| CDS | Емкость перехода сток — исток при нулевом смещении | Ф | |
| IS | Ток насыщения р-n перехода (диода Шотки) | 10-14 | А |
| TAU | Время переноса носителей заряда | c | |
| М | Коэффициент, учитывающий плавность перехода | 0,5 | — |
| N | Коэффициент неидеальности | — | |
| FC | Коэффициент нелинейности барьерной емкости прямосмещенного перехода | 0,5 | — |
| KF | Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума | — | |
| AF | Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока через переход | — |
