Пряжение

РЭ на составном транзисторе характеризуется величина­ми:

где h_21Э, h_11Э, µ_T, r_iT - параметры, коэффициент усиле­ния и внутреннее сопротивление составного транзистора, см. рис. 13. Составной транзистор, УПТ и схему сравнения рис. 13 можно рассматривать как некоторый усилитель с по­следовательной отрицательной обратной связью по напряже­нию. Выходное сопротивление такого усилителя уменьшается в (1 + βК_Н) раз. Здесь β - коэффициент передачи напряже­ния схемы сравнения и УПТ, К_Н - коэффициент усиления по напряжению составного транзистора, в данном случае µ_T, поэтому можно записать:

где r_н - выходное сопротивление стабилизатора напряжения; г₀ - выходное сопротивление источника питания стабилиза­тора.

С учетом вышеизложенного схему рис. 13 можно предста­вить в виде упрощённой схемы замещения, рис. 14.

Для случая когда к стабилизатору подключена нагрузка схема рис. 14а имеет вид 14Ь.

24 4 НЕПРЕРЫВНОЕ РЕГУЛИРОВАНИЕ

Рис. 13: Типовая схема КОН с последовательным включением регулирующего элемента.