Теоретическое введение. Министерство образования Российской Федерации

Министерство образования Российской Федерации

Волгоградский государственный архитектурно-строительный университет

Кафедра физики

ИССЛЕДОВАНИЕ ВНУТРЕННЕГО ФОТОЭФФЕКТА

Методические указания к лабораторной работе № 51

Волгоград 2010

УДК 537.21 (076.5)

Исследование внутреннего фотоэффекта: Метод.указания к лабораторной работе №51 / Сост. В.Н. Нестеров, Л.Г. Булатова; ВолгГАСА. – Волгоград, 2002. – 10 с.

Целью работы является исследование внутреннего фотоэффекта. Дано описание экспериментальной установки, описан порядок выполнения работы, способ расчета и графического представления результатов. Даны правила техники безопасности и приведены контрольные вопросы.

Для студентов всех специальностей по дисциплине «Физика».

Ил. 3. Табл. 2. Библиогр. 3 назв.

© Волгоградская государственная архитектурно-строительная академия, 2002

© Составление Нестеров В.Н., Булатова Л.Г., 2002

Цель работы – изучение основных закономерностей внутреннего фотоэффекта.

Приборы и принадлежности: оптическая скамья, осветитель, фотосопротивление, вольтметр, миллиамперметр, источник питания.

Теоретическое введение

Внутренний фотоэффект – это вызванные электромагнитным излучением переходы электронов внутри проводника илидиэлектрика из связанных состояний в свободные без вылета наружу. В результате концентрация носителей тока внутри тела увеличивается, что приводит к возникновению фотопроводимости или возникновению ЭДС.

Добавочная проводимость, приобретенная полупроводником при облучении светом, называется фотопроводимостью. Механизм возникновения фотопроводимости состоит в разрушении слабых связей валентных электронов с атомами и удовлетворительно объясняется зонной теорией полупроводников.

Полупроводниками являются твердые тела, которые при Т = 0 K характеризуются полностью занятой электронами валентной зоной, отделенной от зоны проводимости сравнительно узкой (D Е < 1 эВ) запрещеннойзоной. Полупроводники своим названиемобязаны тому, что их электропроводимость меньше электропроводимости металлов и больше электропроводимости диэлектриков. В природе полупроводники существуют в виде элементов (элементы 4, 5, 6 групп периодической системы элементов Менделеева), например Si, Gе, Аs, Те и химических соединений, например оксиды, сульфиды, селениды, сплавы элементов различных групп. Различают собственные и примесные полупроводники. Собственными полупроводниками являются химически чистые полупроводники, а их проводимость называется собственной проводимостью. Примером собственных полупроводников могут быть химически чистые Gе, Sе, а также многие химические соединения: InSb, GaАs. CdS и др.

На рис. 1 а показана упрощенная схема зонной структуры химически чистого (собственного) полупроводника. При абсолютном нуле его валентная зона укомплектована полностью, зона проводимости, расположенная над валентной зоной, не заполнена.

Между собственными полупроводниками и диэлектриками не существует принципиального различия, такое деление кристаллов в известной степени условно.

Они различаются лишь шириной запрещенной зоны, т. е. величиной энергии D Е _o,необходимой для перехода электронов из валентнойзоны в зону проводимости. У диэлектриков запрещенная зона значительно шире, чем у полупроводников.

Рис. 1. Схема зонной структуры полупроводников: а) химически чистого (собственного) полупроводника; б) химически чистого (собственного) полупроводника после перехода части валентных электронов в зону проводимости; в) примесного полупроводника с примесными уровнями, расположенными вблизи дна зоны проводимости; г) примесного полупроводника с примесными уровнями, расположенными у потолка валентной зоны

При облучении полупроводника монохроматическим светом частотой n часть фотонов рассеивает свою энергию в кристаллической решетке, другие передают энергию валентным электронам. Если энергия поглощения фотона h n ³ D Е _o, то валентные электроны переходят в свободную зону и становятся электронами проводимости.

После перехода части валентных электронов в зону проводимости в валентной зоне образуются вакантные уровни (рис. 1, б ), так называемые дырки, которые во внешнем поле ведут себя как частицы с положительным зарядом и обеспечивают дырочную проводимость полупроводника. Таким образом, один поглощенный фотон с энергией h n ³D Е _o освобождает пару «электрон – дырка», увеличивая число носителей заряда в полупроводнике.

Полупроводники любой степени частоты всегда содержат примесные атомы, имеющие свои собственные энергетические уровни. Эти примесные уровни могут располагаться как в разрешенной, так и в запрещенной зонах. Обычно примеси вводят специально для придания полупроводнику необходимых свойств.

При наличии примесных уровней, расположенных в запрещенной зоне, реализуется монополярная фотопроводимость, т. е. либо электронная, либо дырочная. Если примесные уровни заполнены электронами и расположены близи дна зоны проводимости (рис. 1, в ), то в результате поглощения света электроны могут перейти в зону проводимости, создавая электронную фотопроводимость.

Если примесные уровни свободны и расположены у потолка валентной зоны (рис. 1, г), то из валентной зоны электроны переходят на примесные уровни и создают дырочную фотопроводимость.

В первом случае фотоэффект наблюдается, когда энергия фотонов h n ³ D Е _е, во втором – при условии h n ³ D Е_q.

Максимальное значение длины волны l = с /n (с – скорость света в вакууме), при котором фотоэффект еще возможен, называется красной границей фотоэффекта. Её значение можно определить из условия h n_кр=D Е, т.е. l_кр = сh /D Е, где Δ E = Δ E _o, Δ E = Δ E_e или Δ E = Δ E_q – для примесных полупроводников.

Для чистых полупроводников D Е _oсоставляет1–3 эВ. Для них красная граница приходится на видимую часть спектра. Многие примесные полупроводники имеют D Е _е(или D Е _q) порядка десятых и даже сотых долей электрон-вольтов. Красная граница фотопроводимости для них лежит в инфракрасной области спектра.

Явление внутреннего фотоэффекта находит применение в полупроводниковых приборах, сопротивления которых сильно зависят от освещенности. Такие приборы называются фотосопротивлениями (фоторезисторами). Обычно при изготовлении фотосопротивления (рис. 2) на изолирующую подложку 1 наносят тонкий фоточувствительный слой полупроводника 2 и по краям этогослоя устанавливаютметаллические электроды 3.

Рис. 2.Схема устройства фотосопротивления

Для предохранения от вредных влияний среды фоточувствительная поверхность фотосопротивления покрывается тонкой пленкой прозрачного лака.

Если затемненное фотосопротивление включить в электрическую цепь, то через него будет протекать электрический ток (темновой ток), обусловленный основной проводимостью полупроводника, которая возникает вследствие теплового возбуждения носителей заряда. При освещении фотосопротивления ток в цепи резко увеличивается.

Фотоэлектрические процессы в фотосопротивлениях обладают инерционностью. Это значит, что фототок не сразу достигает своего значения, соответствующего данному световому потоку, а через некоторый промежуток времени. Инерционность фотосопротивлений объясняется тем, что после начала облучения число образующихся фотоэлектронов превосходит число рекомбинирующих, происходит нарастание тока.

По истечении некоторого времени возникает динамическое равновесие между числом возникающих и рекомбинирующих фотоэлектронов, при этом ток достигает максимального значения, соответствующего данной освещенности. Простота конструкции, высокая надежность и чувствительность, малые размеры и вес, широкий диапазон спектральной чувствительности обеспечивают применение фотосопротивлений в автоматике, фотометрии и оптической спектроскопии.

Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом, называемые полупроводниковыми фотоэлементами или фотосопротивлениями (фоторезисторами), обладают гораздо большей интегральной чувствительностью, чем вакуумные. Если фотокатоды вакуумных фотоэлементов и фотоэлектронных умножителей имеют “красную границу” фотоэффекта не выше 1,1 мкм, то применение фотосопротивлений позволяет производить измерения в далекой инфракрасной области спектра (3¸4 мкм), а также в областях рентгеновского и гамма-излучений. Кроме того, они малогабаритны и имеют низкое напряжение питания. Недостаток фотосопротивлений – их заметная инерционность, поэтому они не пригодны для регистрации быстропеременных световых потоков.

Фотоэлементы с вентильным фотоэффектом, называемые вентильными фотоэлементами (фотоэлементами с запирающим слоем), обладая, подобно элементам с внешним фотоэффектом, строгой пропорциональностью фототока интенсивности излучения, имеют большую по сравнению с ними интегральную чувствительность (примерно 2–30 мА/лм) и не нуждаются во внешнем источнике эдс. К числу вентильных фотоэлементов относятся германиевые, кремниевые, селеновые, купроксные, сернисто-серебряные и др.

Кремниевые и другие вентильные фотоэлементы применяются для создания солнечных батарей, непосредственно преобразующих световую энергию в электрическую. Эти батареи уже в течение многих лет работают на советских космических спутниках и кораблях. КПД этих батарей составляет»10% и, как показывают расчеты, может быть доведен до»22%, что открывает широкие перспективы их использования в качестве источников электроэнергии для бытовых и производственных нужд.

Рассмотренные виды фотоэффекта используются также в производстве для контроля, управления и автоматизации различных процессов, в военной технике для сигнализации и локации невидимым излучением, в технике звукового кино, в различных системах связи.