2015-06-26
311
Як відомо, для власних напівпровідників залежність питомої провідності 
від температури 
описується виразом 
(6.3) (див. §6.2). Цю залежність можна подати так:
, (1)
де 
- питома провідність власного напівпровідника при 
; 
- ширина забороненої зони напівпровідника; 
- стала Больцмана.
Формула (1) описує пряму 
(рис.1), тангенс кута нахилу якої до осі абсцис дорівнює: 
. Тому ширину забороненої зони власного напівпровідника можна визначити із співвідношення:
, (2)
де 
, 
– значення ординати прямої у відповідних точках 
і 
її абсциси (рис.1).
В даній лабораторній роботі використовується лабораторна установка, яка схематично наведена на рис.2.
Рис. 2
Напівпровідниковий зразок 1 розміщений всередині нагрівного елемента 3. Живлення нагрівного елемента здійснюється від автотрансформатора 4, увімкненого в мережу 220 В. Напруга на нагрівнику контролюється вольтметром 7. Для вимірювання температури використовується термопара 2 хромель–копель, яка під’єднана до мілівольтметра 5. Опір досліджуваного зразка вимірюється за допомогою цифрового приладу 6 для вимірювання опору.
Досліджуваний зразок має форму паралелепіпеда довжиною L =3 мм та площею поперечного перерізу S =0,1 мм2. Питому провідність 
зразка розраховують за даними вимірювання його опору 
та відомими значеннями довжини зразка і площі його поперечного перерізу, використовуючи формулу
. (3)
Опором переходу метал-напівпровідник нехтуємо.
