Як відомо, для власних напівпровідників залежність питомої провідності від температури описується виразом (6.3) (див. §6.2). Цю залежність можна подати так:
, (1)
де - питома провідність власного напівпровідника при ; - ширина забороненої зони напівпровідника; - стала Больцмана.
Формула (1) описує пряму (рис.1), тангенс кута нахилу якої до осі абсцис дорівнює: . Тому ширину забороненої зони власного напівпровідника можна визначити із співвідношення:
, (2)
де , – значення ординати прямої у відповідних точках і її абсциси (рис.1).
В даній лабораторній роботі використовується лабораторна установка, яка схематично наведена на рис.2.
Рис. 2
Напівпровідниковий зразок 1 розміщений всередині нагрівного елемента 3. Живлення нагрівного елемента здійснюється від автотрансформатора 4, увімкненого в мережу 220 В. Напруга на нагрівнику контролюється вольтметром 7. Для вимірювання температури використовується термопара 2 хромель–копель, яка під’єднана до мілівольтметра 5. Опір досліджуваного зразка вимірюється за допомогою цифрового приладу 6 для вимірювання опору.
Досліджуваний зразок має форму паралелепіпеда довжиною L =3 мм та площею поперечного перерізу S =0,1 мм2. Питому провідність зразка розраховують за даними вимірювання його опору та відомими значеннями довжини зразка і площі його поперечного перерізу, використовуючи формулу
. (3)
Опором переходу метал-напівпровідник нехтуємо.