Послідовність виконання роботи

1. Увімкнути цифровий мілівольтметр 5 та прилад 6 для вимірювання опору в мережу 220 В.
2. Регулятор вихідної напруги на автотрансформаторі 4 встановити в положення "І". Увімкнути автотрансформатор в мережу 220 В. Через кожні ~10 хв послідовно переміщати регулятор напруги в положення 2, 3, 4,…8.
3. Проводити вимірювання опору досліджуваного зразка при різних значеннях температури через кожні 0,2 мВ за показами мілівольтметра. Нагрівання здійснювати до температури, яка вказана на робочому місці.
4. Користуючись графіком градуювання термопари визначати температуру досліджуваного зразка напівпровідника.

5. Встановити регулятор вихідної напруги на автотрансформаторі в положення “0”.

1. Вимкнути автотрансформатор і прилади з мережі 220 В.
2. За отриманими значеннями опору напівпровідникового зразка розрахувати величину його питомої провідності і для різних температур, використовуючи співвідношення (3).

Таблиця 1

1. Побудувати графік залежності . Вибрати на графіку ділянку, де найбільше проявляється пряма лінія, і для довільно вибраних значень і знайти відповідні значення та .
2. Обчислити ширину забороненої зони досліджуваного напівпровідника за формулою (2).
3. Проаналізувати отримані результати та зробити висновки.

Контрольні запитання

1. Поясніть як утворюються енергетичні зони в кристалах?
2. Як розуміти терміни “валентна зона”, “зона провідності”, “заборонена зона” з точки зору зонної теорії?
3. Які речовини називаються провідниками, діелектриками і напівпровідниками?
4. Який напівпровідник називається “власним”? “Домішковим”?
5. Чим зумовлена провідність власного і домішкового напівпровідників?
6. Чим пояснюється зміна концентрації вільних носіїв заряду у власних напівпровідниках від температури?
7. В чому полягає суть методики визначення ширини забороненої зони напівпровідників з температурної залежності їх провідності?