Расчет нагрузочной способности

Этот теоретический результат неверен. Так как в схеме нет резисторов, то токи I_Н / N для каждого транзистора будут различными, поскольку сопротивления эмиттерных переходов у транзисторов различаются. Транзистор, имеющий меньшее сопротивление перехода, захватывает в базу больший ток от инжектора транзистор с большим сопротивлениемполучает в базу меньший ток этот транзистор выйдет из насыщения. Это эфект перехвата токов. Для элементов величина нагрузочной способности равна 1.

Реализация логических функций на базе.И²Л

Элементы И²Л с многоколлекторным транзистором

Использование диодов Шоттки в элементах И²Л.

В этой схеме отсутствует эффект перехвата токов, так как транзистор с меньшим сопротивлением не может перехватить ток “чужого” инжектора из-за дида Шоттки. Но в подобной схеме ухудшается помехоустойчивость элемента на вличину падения напряжения на диоде (на 0.2 - 0.3В). Логические функции могут реализовываться двумя способами:

1) С помощью диодов Шоттки