а) Пусть на входы поданы логические нули, т.е. .
Т.к. эмиттеры транзистора - это области с электронной проводимостью, то, подавая на них логические нули, получаем прямое смещение эмиттерных переходов.
этого транзистора также смещен в прямом направлении, т.к. «плюс» источника питания (ИП) через резистор подается на базу (p-область).
Таким образом, находится в режиме насыщения (полностью открыт).
Сопротивление открытого транзистора мало, следовательно, мало и падение напряжения на нем (по закону Ома), что соответствует логическому нулю.
Но выходное напряжение транзистора является входным для (), следовательно, на базу (p-область) подается логический нуль, что соответствует обратному смещению . также находится под обратным напряжением, т.к. «плюс» ИП через резистор подается на коллектор (n-область).
Таким образом, находится в режиме отсечки (полностью закрыт).
Сопротивление закрытого транзистора велико, следовательно, велико и падение напряжения на нем, что соответствующий логической единице:
|
|
Для рассматриваемого случая ток будет протекать через эмиттерные переходы на входы и .
б) Если на один из входов подать , а на другой - , картина будет соответствовать пункту 1.
в) Подадим на оба входа логические единицы, т.е. .
В этом случае на эмиттеры (n-области) подается «плюс», т.е. смещаются в обратном направлении. по-прежнему смещен в прямом направлении. Таким образом, находится в инверсном режиме.
В этом случае ток будет протекать через в базу , повышая ее потенциал, в результате чего откроется (войдет в активный режим), возникнет ток , который еще больше повысит потенциал базы , транзистор войдет в режим насыщения (полностью откроется). Сопротивление открытого транзистора мало, следовательно мало и падение напряжения на нем, что соответствует логическому нулю .
Таким образом, осуществляется логическая операция И-НЕ.