
а) Пусть на входы поданы логические нули, т.е.
.
Т.к. эмиттеры транзистора
- это области с электронной проводимостью, то, подавая на них логические нули, получаем прямое смещение эмиттерных переходов.
этого транзистора также смещен в прямом направлении, т.к. «плюс» источника питания (ИП) через резистор
подается на базу
(p-область).
Таким образом,
находится в режиме насыщения (полностью открыт).
Сопротивление открытого транзистора мало, следовательно, мало и падение напряжения на нем (по закону Ома), что соответствует логическому нулю.
Но выходное напряжение транзистора
является входным для
(
), следовательно, на базу
(p-область) подается логический нуль, что соответствует обратному смещению
.
также находится под обратным напряжением, т.к. «плюс» ИП через резистор
подается на коллектор
(n-область).
Таким образом,
находится в режиме отсечки (полностью закрыт).
Сопротивление закрытого транзистора велико, следовательно, велико и падение напряжения на нем, что соответствующий логической единице: 
Для рассматриваемого случая ток
будет протекать через эмиттерные переходы на входы
и
.
б) Если на один из входов подать
, а на другой -
, картина будет соответствовать пункту 1.
в) Подадим на оба входа логические единицы, т.е.
.
В этом случае на эмиттеры
(n-области) подается «плюс», т.е.
смещаются в обратном направлении.
по-прежнему смещен в прямом направлении. Таким образом,
находится в инверсном режиме.
В этом случае ток
будет протекать через
в базу
, повышая ее потенциал, в результате чего
откроется (войдет в активный режим), возникнет ток
, который еще больше повысит потенциал базы
, транзистор войдет в режим насыщения (полностью откроется). Сопротивление открытого транзистора мало, следовательно мало и падение напряжения на нем, что соответствует логическому нулю
.
Таким образом, осуществляется логическая операция И-НЕ.







