Приборов. . 56

МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ

(ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

ФАКУЛЬТЕТ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

ЛЕТАТЕЛЬНЫХ АППАРАТОВ

К.П. КИРДЯШЕВ

МОДЕЛИРОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ

МОСКВА, 2007

СОДЕРЖАНИЕ

Предисловие..................................................... 3

Введение........................................................ 5

Раздел первый. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ........................... 6

Работа 1. Вольт-амперные характеристики полупроводникового диода... 6

Работа 2. Барьерная емкость полупроводникового диода и электронная

перестройка частоты колебательного контура............... 13

Работа 3. Вольт-амперные и световые характеристики фотодиода...... 20

Работа 4. Параметры и статические характеристики МДП-транзистора..29

Раздел второй. ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПРИБОРЫ. СВЧ ПРИБОРЫ С ДИНАМИЧЕСКИМ УПРАВЛЕНИЕМ.............................. 38

Работа 5. Термоэмиссионные характеристики вакуумного диода....... 38

Работа 6.. Траектории электронного пучка в электровакуумных приборах

с электростатическим отклонением....................... 47

Работа 7. Движение электронов в магнитном поле электровакуумных

приборов.............................................. 56

Работа 8. Режимы генерации СВЧ колебаний и параметры колебательной

системы отражательного клистрона....................... 66