Входные характеристики идеализированного транзистора определяются зависимостью (4.16). Если, учесть (4.14) и (4.15), то будем иметь следующее выражение для входных характеристик:
. (4.19)
Выразив из (4.16) двучлен и подставив его в (4.17), получим выражение для выходных характеристик транзистора
. (4.20)
Семейства входных и выходных характеристик, построенные в соответствии с (4.19) и (4.20), показаны на рис.4.10.
Относительно семейства входных характеристик можно заметить следующее. Характеристика, соответствующая , является характеристикой обычного p-n перехода. При положительных напряжениях на коллекторе кривые сдвигаются вправо и вниз. Это объясняется нарастанием собираемой компоненты эмиттерного тока (второй член в выражении 4.19). При отрицательных напряжениях на коллекторе кривые незначительно смещаются влево и вверх.
Если , то влияние изменения коллекторного напряжения практически отсутствует.
Выходные характеристики представлены на рис.4.10,б. Для удобства обратное напряжение на коллекторе (отрицательное для транзистора p-n-p и положительное дня транзистора n-p-n) принято откладывать вправо. При изменении тока эмиттера на одинаковую величину характеристики оказываются эквидистантными, так как коэффициент передачи тока эмимера предполагается постоянным. На рис.4.10,б можно видеть различные режимы работы транзистора: активный режим, соответствующий напряжению (первый квадрант), режим насыщения, соответствующий напряжению (второй квадрант) и режим отсечки, границей которого является кривая .
|
|
Для активного режима работы выполняются условия и . Поэтому формулы (4.19) и (4.20) упрощаются:
(4.21)
(4.22)
При выводе (4.21) использовано выполняющееся в транзисторах соотношение и для простоты положено . Заметим, что из (4.22) следует независимость тока от напряжения , т.е. кривые параллельны оси напряжений.
Реальные статические характеристики.
Как уже говорилось, характеристики транзистора, представленные на рис.4.10, являются идеализированными, так как при выводе уравнений этих характеристик не учитывается целый ряд факторов: модуляция ширины базы, влияние объемного сопротивления базы , пробой перехода, зависимость от тока эмиттера и др. Реальные характеристики транзистора, которые можно снять экспериментально с помощью схемы, приведенной на рис.1.1, показаны на рис.4.11.
Из анализа входных характеристик (рис.4.11,а) видно значительное влияние напряжения на коллекторе. Так, при увеличении отрицательного напряжения кривые смещаются вверх и влево, т.е. при одном и том же значении напряжения ток возрастает. С физической точки зрения это объясняется двумя причинами. Во-первых, рассмотренным ранее явлением модуляции ширины базы (см. рис. 4.7). Bo-вторых, влиянием объемного сопротивления базы , которое не учитывалось при выводе уравнений токов транзистора. С учетом этого сопротивления напряжение непосредственно на p-n переходе эмиттер-база оказывается меньше приложенного и равно . Как видно, при напряжение зависит от тока базы, поэтому с ростом отрицательного напряжения уменьшается, a растет. Это и приводит к увеличению тока (характеристики идут выше, рис 4.11,а). Другое проявление объемного сопротивления базы заключается в том, что каждая из кривых входного семейства идет положе идеальной (рис.4.10,а) опять же за счет уменьшения напряжения на эмиттерном переходе.
|
|
Реальные выходные характеристики (рис.4.11,б) в отличие от идеальных имеют в активном режиме небольшой наклон, т.е. с ростом напряжения ток увеличивается. Это также является следствием модуляции ширины базы. С учетом этого выходное семейство характеристик транзистора в активном режиме можно представить соотношением
, (4.23)
где - дифференциальное сопротивление коллекторного перехода. Другая особенность реальных характеристик по сравнению с идеальными заключается в уменьшении расстояния между кривыми при больших токах из-за уменьшения . Характер зависимости от тока эмиттера показан на рис.4.12.
При малых токах эмиттера концентрация инжектируемых из эмиттера в базу носителей мала и большая часть их рекомбинирует в области перехода эмиттер-база, поэтому получается малой эффективность эмиттера (мала составляющая тока ), мало и . В дальнейшем увеличение тока приводит к росту .
Однако по мере увеличения инжекции дырок увеличивается приток в базу электронов от внешнего источника, восстанавливающих ее электронейтральность. Концентрация электронов в базе возрастает, а эффективность эмиттера падает (увеличивается составляющая ), вследствие чего , достигнув максимума, начинает уменьшаться. Следующей особенностью реальных характеристик является резкий рост тока коллектора при больших напряжениях . Наступает пробой коллекторного перехода. При достаточно быстром увеличении , когда температура перехода не успевает заметно повыситься, пробой носит лавинный характер. В условиях лавинного пробоя ток коллектора можно записать в виде
,
где - коэффициент ударной ионизации, - напряжение лавинного пробоя, при котором .
Напряжение при котором ток резко увеличивается, стремясь к бесконечно большой величине, обозначают . Из приведенной выше формулы следует, что . При больших токах лавинный пробой переходит в тепловой. Поэтому на семействе выходных характеристик наносят кривую максимально допустимой мощности, рассеиваемой коллектором, ограничивающую ток и напряжение .
При переходе от активного режима работы к режиму насыщения коллекторный переход открывается (), возникает встречная инжекция дырок из коллектора в базу и ток коллектора резко уменьшается. В этом режиме реальные характеристики практически не отличаются от идеализированных.