Характеристики схемы ОБ

Пример семейства входных и выходных характеристик маломощного германиевого транзистора приведен на рис.7 и 8.

Реальные характеристики несколько отличаются от характеристик математической модели. В активном режиме эмиттерное напряжение, и коллекторный ток несколько зависят от коллекторного напряжения. Причиной является эффект Эрли – уменьшение ширины (толщины) базы при увеличении обратного коллекторного напряжения вследствие расширения коллекторного перехода, что приводит к увеличению коэффициента a_Nºa на доли процента и соответствующему росту тока. Наклон выходных характеристик в схеме ОБ очень мал. Собственный обратный ток коллектора I_КБ0 кроме I_К0 включает также I_КТ и I_КУ. Характеристика передачи дается выражением (1).

Активный режим соответствует первому квадранту выходных характеристик, в режиме двойной инжекции (второй квадрант) происходит спад коллекторного тока при неизменном эмиттерном токе. Это результат встречной инжекции c коллекторного перехода. Из формул (11), (12) следует, что ток коллектора обращается в нуль при прямом напряжении на коллекторе равном