Характеристики схемы ОЭ

Семейства входных и выходных характеристик приведены на рис.9 и 10. Аналитические выражения, могут быть получены с помощью формул Эберса-Молла.

Входная характеристика при U_КЭ= 0 соответствует диодному включению транзистора, когда оба перехода соединены параллельно. При прямом смещении переходы открываются и ток возрастает по экспоненциальному закону. При обратном смещении коллекторного перехода ВАХ смещается вниз и вправо и при обратных напряжениях ½ U_КЭ ½ ³ 0,5В напряжение коллектора практически не влияет на входные характеристики – кривые практически сливаются. Ток базы имеет две противоположно направленные составляющие:

I_Б = (1-a)I_Э – I_КБ0 (16)

Первая составляющая – рекомбинационная – идет на восполнение убыли основных носителей вследствие рекомбинации и инжекции в эмиттер, вторая – обратный ток коллекторного перехода. При обратном смещении базы ток базы практически совпадает с I_КБ0. При подаче прямого напряжения на базу эмиттерный переход открывается и в цепи базы появляется рекомбинационный ток.

Выходные характеристики в схеме с ОЭ, в отличие от характеристик схемы с ОБ, имеют крутой участок не при положительных напряжениях на коллекторе, а при малых отрицательных. Это объясняется тем, что напряжение на базе отрицательно. Пунктирная линия на рис.9 соответствует условию U_КБ= 0.

Пологий участок характеристик в схеме с ОЭ имеет больший наклон. Это связано с эффектом Эрли – уменьшением ширины базы при увеличении U_КЭ, - даже незначительное изменение коэффициента a приводят к существенному изменению b, а следовательно, и росту тока I_К в схеме ОЭ вследствие связи (4).

Спад коллекторного тока наступает в режиме двойной инжекции, которой соответствует область, лежащая левее пунктирной кривой U_КБ= 0 на рис.9. Заметный спад тока наступает лишь тогда, когда прямое напряжение достигает напряжения отпирания , где U^* – напряжение открытого p-n -перехода. Минимальное напряжение U_КЭmin при I_К=0 согласно математической модели равно U_КЭmin=f_T ln(1 /a_I)