Конструктивные индуктивности

Рис. Изображения высокодобротных катушек индуктивности на керамической основе.

Рис. Катушки индуктивности. L=10~20Hn, Q factor: 50~130

Увеличение коэффициента усиления, рассеяние мощности или наличие фазовых шумов в таких схемах приводит, в свою очередь, к необходимости объединения MEMS-катушек индуктивности на одном кристалле. Применение MEMS-катушки индуктивности даёт выигрыш по усилению на 12 дБ и удвоенное увеличение резонансной частоты.

Рис. СВЧ CMOS-усилитель с подвешенной MEMS-катушкой индуктивности (а), поперечное сечение катушки индуктивности (в) и её характеристики усилителей с удалённым и неудалённым материалом подложки под катушкой индуктивности. (с).

Биметаллический метод использует пару материалов с различным температурным коэффициентом линейного расширения (ТКЛР). Катушки индуктивности из хромо -молибденовой плёнки, сами сворачиваются при нагревании на поверхности интегральных схем.

Рис. Самозакручивающиеся катушки индуктивности.

Высокая разрешающая способность гибкой технологии – порядка 100 мкм – позволяет монтировать микросхемы и формировать катушки многовитковой индуктивности.

Рис. Однослойные многовитковые индуктивности на гибком основании.

Рис. Шлейфный направленный ответвитель со сдвигом фаз между выходами 2 и 3 - 90° для частоты 2.1.ГГц на пленочных LC - элементах в виде монолитной интегральной схемы. (Темно зеленым представлены пленочные конденсаторы, светло зеленым – заземленные отверстия.)

Рис. Монолитный шлейфный направленный ответвитель на сосредоточенных элементах.

Трансформаторы.

Трансформаторы включают

- обмотку: многовитковую, многослойную,

- сердечник,

- выводы.

Рис. Миниатюрные импульсные трансформаторы для печатных плат и интегральных схем.

Повышающий высоковольтный трансформатор предназначен для работы в импульсных DC/DC-преобразователях. Катушка трансформатора намотана на секционированном smd каркасе EFD20.
Выходное напряжение - до 9 кВ, частота - 1 кГц, мощность - до 0,3 Вт.
Габариты - 20х20х9 мм, вес 10 г.