Схемы включения биполярного транзистора

В схеме, приведенной на рис. 3, электрическая цепь, образованная источником Uэб, эмиттером и базой транзистора, называется входной, а цепь, образованная источником Uкб, коллектором и базой этого же транзистора,—выходной. База является общим электродом транзистора для входной и выходной цепей, поэтому такое его включение на­зывают схемой с общей базой, или сокращенно «схемой ОБ».

На рис. 4 изображена схема, в которой общим электродом для входной и выходной цепей является эмиттер. Это схема включения с общим эмиттером, или сокращенно «схема ОЭ». В ней выходным то­ком, как и в схеме ОБ, является ток коллектора I _К, незначительно отличающийся от тока эмиттера I_э, а входным — ток базы I_Б, значи-

Рис. 4. Включение тран Рис. 5. Включение тран-

зистора по схеме с общим зистора по схеме с общим

эмиттером коллектором

тельно меньший, чем коллекторный ток. Связь между токами I_Б и I_к в схе­ме ОЭ определяется уравнением:

I_К= h_21ЕI_Б + I_КЭО

Коэффициент пропорциональности h_21E называют статическим коэффициентом передачи тока базы. Его можно выразить через стати­ческий коэффициент передачи тока эмиттера h_21Б

h_21Е= h_21Б /(1- h_21Б).

Если h_21Б находится в пределах 0,9...0,998, соответствующие значе­ния h_21Е будут в пределах 9...499.

Составляющая I_КЭО называется обратным током коллектора в схеме ОЭ. Ее значение в 1 +h_21Е раз больше, чем Iкбо, т. е.

IКЭО = (1 + h_21Е)IКБО.

Обратные токи Iкбо и Iкэо не зависят от входных напряжений Uэб и UБЭ и вследствие этого называются неуправляемыми составляющими коллекторного тока. Эти токи сильно зависят от температуры окружаю­щей среды и определяют температурные свойства транзистора. Уста­новлено, что значение обратного тока Iкбо удваивается при повышении температуры на 10 °С для германиевых и на 8 °С для кремниевых тран­зисторов. В схеме ОЭ температурные изменения неуправляемого обрат­ного тока Iкэо могут в десятки и сотни раз превысить температурные изменения неуправляемого обратного тока Iкбо и полностью нарушить работу транзистора. Поэтому в транзисторных схемах применяются специальные меры термостабилизации транзисторных каскадов, способ­ствующие уменьшению влияния температурных изменений токов на работу транзистора.

На практике часто встречаются схемы, в которых общим электродом для входной и выходной цепей транзистора является коллектор (рис. 5). Это схема включения с общим коллектором, или «схема ОК».

Независимо от схемы включения транзистора для него всегда справед­ливо уравнение, связывающее токи его электродов:

Iэ = Iк + Iб.