Устройство и принцип действия биполярного транзистора

Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый при­бор, имеющий два электронно-дырочных перехода, образованных в одном монокристалле полупроводника. Эти переходы образуют в полупровод­нике три области с различными типами электропроводности. Одна край­няя область называется эмиттером (Э), другая —коллектором (К), средняя — базой (Б). К каждой области припаивают металлические выводы для включения транзистора в электрическую цепь.

Электропроводность эмиттера и коллектора противоположна электро­проводности базы. В зависимости от порядка чередования р - и n - областей различают транзисторы со структурой р-n-р (рис. 1, а) и n-р-n (рис. 1,б). Условные графические обозначения транзисторов р-n-р и n-р-n отличаются лишь направлением стрелки у электрода, обозна­чающего эмиттер. Принцип работы транзисторов р-n-р и n-р-n одинаков, поэтому в дальнейшем будем рассматривать лишь работу транзи­стора со структурой р-n-р

Рис. 1. Структуры и условные графические обозначения биполярных тран­зисторов типа р-n-р (а) и n-р-n (б)

Электронно-дырочный переход, образованный эмиттером и базой, называется эмиттерным, а коллектором и базой — коллекторным. Расстояние между переходами очень мало: у высокочастотных транзисторов оно менее 10 микрометров (1 мкм = 0,001 мм), а у низко­частотных не превышает 50 мкм.