Рассмотрим усилительный каскад на биполярном транзисторе с общей базой, схема которого представлена на рис. 2.6а. Переход к эквивалентной схеме режима колебаний иллюстрируют схемы рис. 2.6б – рис. 2.6ж. На них транзистор представлен схемой замещения рис. 1.2б.
Уравнение для напряжения uВЫХ окончательной эквивалентной схемы имеет вид:
(GВН + GК + GН) uВЫХ = (S + GВН) uВХ. |
Из этого выражения получаем формулу для коэффициента передачи сигнала по напряжению:
. | (2.13) |
Поскольку практически всегда S >> GВН, имеем
, | (2.14) |
где Rэ=1/(GВН GК +GН) – эквивалентное сопротивление нагрузки источника тока.
Из формулы (2.14) следует, что при усилении сигнал увеличивается пропорционально крутизне ВАХ транзистора S и величине эквивалентного сопротивления нагрузки RЭ, но, в отличие от усилительного каскада с общим эмиттером (п. 2.1), он не изменяет свою полярность.
Рис. 2.6. Каскад на биполярном транзисторе с общей базой:
а) принципиальная схема;
б) – е) промежуточные эквивалентные схемы;
|
|
ж) окончательная эквивалентная схемадляопределения k
Входное сопротивление каскада RВХ.К найдем, анализируя схему, представленную на рис. 2.6г. Пренебрегая здесь составляющей тока через GВН, имеем
IВХ GЭМuВХ + GВХuВХ + SuВХ = (GЭМ+ GВХ+ S)uВХ,
откуда следует
. | (2.15а) |
При S>> GЭМ+ GВХ получаемприближенную формулу
. | (2.15б) |
Полученные формулы (2.15а) и (2.15б) указывают на низкое входное сопротивление каскадов с общим управляющим электродом.
Выходное сопротивление каскада RВЫХ.К находим с помощью любой из эквивалентных схем, представленных на рис. 2.6. В соответствии с методикой, указанной на рис. 2.1, при uВХ =0 получим
. | (2.16) |