1. Титульный лист;
2. Цель работы и краткая теория (1-2 стр.);
3. Исходные данные и данные эксперимента;
4. ВАХ и расчетный график γ = f(E) варистора для трех температур, определенное графическим путем значение Еk;
5. Расчет основных характеристик варистора по п. 6-8 задания к работе;
6. График зависимости γ= f(Т) для напряжения U1;
7. Выводы.
Контрольные вопросы
1. Какие физические факторы обуславливают нарушение закона Ома в полупроводниковых материалах при действии сильных электрических полей?
2. Объяснить температурную зависимость электропроводности от температуры.
3. Пояснить нелинейную зависимость электропроводности от напряженности внешнего электрического поля.
4. Какие примеси в ковалентных полупроводниковых материалах являются донорными, я какие – акцепторными?
5. Чем отличается полупроводник с собственной электропроводностью от полупроводника с примесной электропроводностью?
6. К какому типу электропроводности (собственной или примесной) относится материал варистора, и какой тип химической связи преобладает в нем?
7. Пояснить механизмы изменения концентрации носителей заряда при изменении электрического поля.
8. Как влияет величина электрического поля на подвижность носителей заряда?
9. Понятие варистора.
10. Конструкции, материалы и технологии изготовления варисторов.
11. Основные характеристики варисторов.
12. Область применения варисторов.
Литература
1. Пасынков В.В., Сорокин B.C. Материалы электронной техники.- М:Высшая школа, 1986.- 367 с.
2. Материалы микроэлектронной техники /Под ред. В.М.Андреева.- М.:Радио и связь, 1989.- 352 с.
3. Электроника: Энциклопедический словарь /Гл.ред. В.Г.Колесников,- М.:Сов.энциклопедия, 1991.- 688 с.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2
Исследование полупроводниковых терморезисторов
Цель работы:
1. Изучение основных параметров, характеристик и конструкции терморезисторов.
2. Экспериментальное исследование основных характеристик терморезисторов.
Пояснения к работе.