2015-08-21
1820
Пусть транзистор был насыщен током 
, тогда заряд, накопленный в нем, равен 
(рис. 1.7), где 
– постоянная времени накопления избыточного заряда.
В некоторый момент времени ток базы скачком уменьшается от положительного значения до отрицательного значения 
. С этого момента начинается уменьшение заряда с постоянной времени рассасывания 
, причем при t ® 
заряд стремится к теоретическому значению заряда 
.
Рис. 1.7
Время рассасывания 
, определяется ГОСТ 18604.21 –78 как отрезок времени между моментом подачи запирающего тока и моментом, когда напряжение на коллекторе в схеме достигнет уровня
(0.1…0.3) E п[2].
При этом транзистор будет находиться в насыщенном состоянии до тех пор, пока заряд не снизится до величины 
. Таким образом, согласно (1) время рассасывания накопленного заряда в базе можно определить
.
Для ориентировочных расчетов можно принять 
для бездрейфовых транзисторов (например, для сплавных германиевых) и 
– для дрейфовых транзисторов (например, диффузионных по технологии), где 
, 
– постоянная времени.
|
|
|
.
