2015-08-21
931
Частотные свойства транзистора, включенного по схеме ОЭ, в активном режиме определяются в основном инерционностью процесса распространения подвижных носителей в базе и влиянием барьерной емкости коллекторного перехода в результате взаимодействия ее с сопротивлением в коллекторной цепи транзистора [2].
Инерционность процесса распространения подвижных носителей в базе при расчетах может быть учтена двумя способами: введением диффузионной емкости эмиттерного перехода или частотно-зависимого коэффициента передачи по току 
.
При инженерных расчетах зависимость коэффициента передачи по току аппроксимируется функцией однополюсника (рис. 1.5).
,
.
– частота среза – частота, при которой 
уменьшается в 
раз.
– частота среза – частота, при которой 
уменьшается в раз.
– частота, на которой коэффициент усиления =1, т.е. транзистор перестает усиливать базовый ток при включении с ОЭ.
Переходя от частотной зависимости 
к временной, можно записать
.
С учетом (3) ток коллектора на этапе формирования фронта можно записать
|
|
|
,
где 
, 
.
Полагая, что 
, 
, 
, то с учетом (1) можно записать
.
Выражение (5) определяет время фронта с учетом инерционности подвижных носителей, однако в большей степени на величину времени фронта влияют параметры внешних цепей.
