В схемах ТТЛ [1, 2, 3, 4] во входных цепях используются многоэмиттерные транзисторы (рис. 2.2, a). По принципу построения, а также по важнейшим параметрам они близки к схемам ДТЛ. Эмиттерные переходы многоэмиттерного транзистора выполняют функцию, аналогичную функции диодов в схемах ДТЛ, а коллекторный переход играет роль смещающего диода. Многоэмиттерный транзистор – специфичный интегральный полупроводниковый прибор, представляющий собой совокупность транзисторных структур, имеющих общий коллектор и непосредственно взаимодействующих друг с другом за счет движения основных носителей заряда.
Схемы ТТЛ отличаются высоким быстродействием и малой потребляемой мощностью. Для повышения помехоустойчивости и нагрузочной способности (n > 10) используются схемы ТТЛ со сложным инвертором (рис. 2.2, б).
a б
Рис. 2.2