2015-09-06
153
2.1. Визначити крутість S транзисторів VT1 і VT2 в заданому статичному режимі, використовуючи відомі співвідношення:.
;
; (9)
,
де 
-об’ємний опір бази транзистора (Ом);
- опір емітерного переходу (Ом);
- струм емітера в точці спокою (мА).
Струм емітера визначається з рівняння для емітерного кола (з врахуванням того, що на базах VT1 і VT2 по постійному струму нульовий потенціал):
, (10)
оскільки 
.
Інші параметри транзисторів КТ315Г необхідно взяти з довідника.
2.2. Визначити диференційний опір 
електронного опора VT3 на лінійній ділянці вихідних характеристик КТ315Г.
2.3. Визначити диференційний опір електронного опора з врахуванням дії послідовного по струму ВВЗ через резистор R6 (рис.2):
, (11)
де 
.
2.4. За формулами (1,4,8) розрахувати 
, 
, 
для двох положень перемикача SA1, використовуючи номінальні значення елементів схеми, вказані на рис.2, і розраховані в п. п. 2.1 – 2.3 параметри транзисторів.
