Определение параметров транзистора – h – параметры

1) Определение

h ₁₁ – входное сопротивление транзистора. Определяется по входной характеристике транзистора I_б = f(U_бЭ). В определённой точке (например, рабочей точке) к характеристике проводится касательная и, используя построенный треугольник, определяются ∆U_бЭ и ∆i_б.

[В/мА] → кОм, [ В/А] → Ом

линия U_КЭ = const для заданной точки А.

1)

∆I_К – по проекции на ось тока двух точек двух кривых при U_КЭ = const.

∆I_б – берётся из разности I_б4 и I_б3.

2) Определение выходного сопротивления транзистора

В заданной точке В проводится касательная к кривой, строится треугольник и находятся величины ∆I_К и ∆U_КЭ (см. рис.).

Для нахождения величин h – параметров используются реальные вольт - амперные характеристики транзисторов (справочные или экспериментальные).