Розрахунок та графічна побудова вхідної ВАХ транзистора

З вихідної ВАХ визначають діапазон струмів бази, в якому підсилювач буде працювати в режимі класу А, тобто від -ΔІ_ВХ до +ΔІ_ВХ. Потім будують вхідну ВАХ p-n переходу емітер-база. емітер-база. Для цього використовують формулу (для температури 25^ОС):

І_БЕ= І₀·ехр(еV_БЕ/kТ) = І₀·ехр(V_БЕ/0,026); (14)

де - І₀ – струм насичення p-n переходу;

- е – заряд електрона;

- V_БЕ – напруга на p-n переході емітер-база;

- k - постійна Больцмана;

- Т – температура, К.

Для визначення значення І₀ використовують дані довідників для вказаного типу транзистора:

І₀=І_В.нас/ехр(V_БЕ.sat/0,026); (15)

Напруга на базі V_Б визначається напругою на p-n переході емітер-база V_БЕ, падінням напруги на емітерному резисторі R3 при струмі робочої точки та залежністю вхідної ВАХ від напругі на колекторі. Тому напруга V_Б буде визначатися за вираженням:

V_Б= V_БЕ + І_БЕ·R3+ V_Е; (16)

Приймая значення напруги V_БЕ значенням 0В; 0,2В; 0,4В; 0,5В;

та подальше через інтервал 0,1В по формулі (14) визначають струм через p-n перехід. Дані розрахунків заносять в таблицю. Як тільки значення струму досягнуть значення декілька мкА, інтервал V_БЕ.sat, зменшують до (0,01В – 0,025В) та проводять розрахунок струмів І_БЕ до значень 0,5-1,0 мА. Дані заносять в таблицю. Потім розраховують напругу на базі за формулою (16) та також заносять в таблицю.

Таблиця