По отриманому параметру VБ(РТ) визначають опори резисторів базового дільника R1 та R2. Для цього приймають струм в дільнику в діапазоні від 2·ІБ.РТ до 3·ІБ.РТ. Тобто:
ІД=(2-3)·ІБ.РТ; (17)
Опір резистора R1 визначають за формулою:
R1= (VСС - VБ(РТ))/ ІД; (18)
Опір резистора R2 визначають за формулою:
R2= VБ(РТ)/ (ІД - ІБ.РТ); (19)
Приклад 4
Опори резисторів базового дільника R1 та R2 визначають по отриманому параметру VБ(РТ) Струм в базовому дільнику визначають за формулою (17):
ІД=(2-3)·ІБ.РТ=2·240=480 мкА;
Опір резистора R1 визначають за формулою (18):
R1= (VСС - VБ(РТ))/ ІД= (12-2,4)/480∙10-6 =20000 Ом =20 кОм
Прийняте значення резистораR1буде дорівнювати: 20 кОм.
Опір резистора R2 визначають за формулою (19):
R2= VБ(РТ)/ (ІД - ІБ.РТ)= 2,4/ (480 - 240) ∙10-6 = 10000 Ом = 10 кОм.
Прийняте значення резистораR2 буде дорівнювати: 10 кОм.
Розрахунок підсилювачих властивостей схеми підсилювача
Підсилювальні властивості каскаду визначаються коефіцієнтом підсилювання струму (Кі), коефіцієнтом підсилювання напруги – (КV) та коефіцієнтом підсилювання потужності – (КР).
|
|
Коефіцієнт підсилювання струму для показаної схеми визначається за формулою:
Кі = BN=h21E.CP; (20)
та буде дорівнювати
Кі = 50 од.
Коефіцієнт підсилювання напруги визначається за даними, що визначені по вихідної та вхідної ВАХ (на рис.3 та рис.4) з використанням формули:
КV=ΔVK/ ΔVБ; (21)
та буде дорівнювати:
КV=ΔVK/ ΔVБ = = 3 В/32 мВ ≈ 93 од.
Коефіцієнт підсилювання потужності для показаної схеми визначається за формулою:
КР = Кі · КV; (22)
та буде дорівнювати
КР = Кі · КV = 50·93= 4650
Розрахунок ємності конденсаторів
В підсилювачах напруги використовуються декілька видів конденсаторів. На вході та на виході підсилювача встановлюваються розділювальні конденсатори. Вони пропускають змінну напругу сигналу, однак не пропускають постійну напругу режимів, що діють в схемі без сигналу. Опір конденсаторів залежить від частоти сигналу, - чім більш частота, тім меньш опір конденсатору. Тому при більшої частоті більший сигнал прийходить на базу транзистора, а також більший сигнал виходить з підсилювача на наступний каскад апаратури. Значить, чім більш ємность розділювальних конденсаторів, тім меньш втрат сигналу в схемі підсилювача.
Приймая припустиме зниження підсилення за рахунок розділювальних (прохідних) конденсаторів на низької частоті 10%, використовують формулу розрахунку:
Ср≥0,37·106/[ f н·(Rк+Rвх)]; (мкФ) (23)
Приймая припустиме зніження підсилення на низької частоті за рахунок конденсатора в колі емітера 30% величину ємності конденсатору в колі емітера транзистора визначають за вираженням:
СЕ≥0,73·106/(f н ·RE); (мкФ) (24)