Таблица 2.1 Перечень, последовательность и номинальные параметры слоёв микросхем.
| № п.п.
| Наименование слоя
| Номер фотошаблона
| Номинальные параметры
| Примечание
|
|
| Исходный кристалл
| –
| КЭФ=4,5 (100)
КЭФ=20 (100)
| 
|
|
| Первичный термический окисел
| –
| d=0,40÷0,50 мкм
| 
|
|
| Карман р -типа
|
| Na=1·10  см¯³
d=5÷8 мкм
| Выполняют фотолитографию «кармана» и двухстадийную диффузию «кармана» на необходимую глубину.
|
|
| Диффузионные р  -слои (исток, сток, охранная область)
|
| rs=10÷25 Ом/
d=0,40÷0,50 мкм
| Выполняют фотолитографию и диффузию.
|
|
| Диффузионные n -слои (исток, сток, охранная область)
|
| gs=10÷25 Ом/
d=1,4÷1,6 мкм
| 
|
|
| Тонкий оксид
|
| d=0,09 ±0,01 мкм
| Проводят фотолитографию.
Выращивают тонкий слой окисла.
|
|
| Поликристаллический кремний
|
| d=0,3÷0,6 мкм
| Наращивают специальную маску из поликристаллического кремния Si*.
|
|
| Подлегирование областей истока – стока р -канального транзистора
|
| Na=1·10  см¯³
d=0,4 мкм
| 
|
|
| Подлегирование областей истока – стока n -канального транзистора
|
| Nд ≈1·10 см¯³
d =0,4 мкм
| 
|
|
| Межслойный диэлектрик
|
–
| d≈0,5 мкм
|
|
|
| Контактные окна
|
| 4×4 мкм
| Проводят фотолитографию – вскрытие окон под контакты.
|
|
| Металлизация алюминием
|
| d=1,2÷0,2 мкм
| Создание внутрисхемных соединений путём металлизации алюминием.
|
|
| Диэлектрический защитный слой
|
| d=0,5 ±0,2 мкм
| Пассивация – нанесение защитного покрытия, в котором фотолитографией вскрывают окна под периферийные контактные площадки.
|
2015-09-06
366
