Полупроводниковым диодом называется полупроводниковый прибор с одним p-n переходом и двумя выводами.
По конструкции диоды могут быть плоскостными и точечными. В плоскостных линейные размеры p-n перехода больше его толщины. В точечных – меньше.
Плоскостные диоды получают несколькими методами.
1. Методом сплавления получают германиевые диоды (рис.12, а). При этом таблетка индия при нагреве расплавляется и растворяет германий. Образуется p -слой, легированный индием (p -типа). С припоем создается невыпрямляющий контакт. Переход несимметричный, (pp >> nn) электронная составляющая тока много меньше дырочной
I диф = Ip + In = Ip (2.1)
Область с большой концентрацией основных носителей называют эмиттером. С малой, в которую инжектируются неосновные для нее носители, – базой.
2. При диффузионной технологии (рис.12, б) донорная и акцепторная примеси поступают из газовой среды вглубь пластины с электропроводностью n - или p - типа. Концентрация введенной примеси уменьшается с глубиной, эмиттерный слой неоднороден, p-n переход плавный.
|
|
3.
|
4. Диод Шоттки (г) создают путем выращивания на подложке из кремния n + типа эпитаксиального слоя n - типа. На нем наращивается слой Si (диэлектрик). После протравливания методом фотолитографии окон в слое Si, в них наносится металл, создающий переход Шоттки.
Точечный диод создают внедрением металлической иглы в кристалл полупроводника. За счет импульсов разогрева места контакта формируется эмиттерный слой. По назначению диоды могут быть: выпрямительные, ВЧ, СВЧ, импульсные, стабилитроны, варикапы, туннельные, фотодиоды, светодиоды.
|
____ ____ ____ ____
–––––– буква, указывающая разновидность (А,Б)
–––––––– число, обозначающее назначение и свойства:
101-399 - выпрямительный
401-499 - ВЧ
501-599 - импульсный
601-699 - варикап и т.д.
––––– буква, указывающая класс или группу: Д –
выпрямительный, ВЧ, импульсный; В - варикап; А –
СВЧ; И - туннельный; С - стабилитрон
––––––– буква или цифра, обозначающая материал: Г или 1 - германий,
К или 2 - кремний, А или 3 - арсенид галлия.