Используемые в практике полупроводниковые материалы могут быть подразделены на следующие группы:
1. Простые (собственные, чистые) полупроводники – это полупроводники, не содержащие примесей.
2. Примесные полупроводники. Их можно разделить на две подгруппы:
а) примеси замещения, атомы примесей находятся в узлах кристаллической решётки. Примеси замещения можно разделить на доноры и акцепторы.
б) примеси внедрения. Примеси внедрения располагаются не в узлах, вместо основного элемента, а в межузловых пространствах. Тип электропроводности в этом случае зависит от размеров примесных атомов.
3. Полупроводниковые химические соединения.
Среди них наибольшее распространение получили двойные (бинарные) соединения вида АmВn, где А и В − химические элементы, а m и n − группы по периодической системе Д.И. Менделеева.
Полупроводниковые соединения АIIIВV являются ближайшими аналогами кремния и германия. Они образуются в результате взаимодействия элементов III подгруппы таблицы Менделеева (бор, алюминий, галлий, индий) с элементами V подгруппы (азот, фосфор, мышьяк, сурьма), которые соответственно называются нитриды, фосфиды, арсениды и антимониды. Наиболее исследованными и технологически не очень сложными из них являются фосфиды, арсениды и антимониды.
б) Соединения АIIBVI
Они образуются в результате взаимодействия элементов II подгруппы (цинк, кадмий, ртуть, медь, висмут) с элементами VI подгруппы (сера, селен, теллур, кислород), которые соответственно называются сульфиды, селениды, теллуриды, оксиды.
4. Полупроводниковые комплексы − материалы, содержащие более двух элементов. К таким материалам относятся, например, тройные сплавы: Вi-Sb-Zn (висмут-сурьма-цинк), Bi- Te -Se (висмут-теллур-селен) и т.д.
К этой же группе относятся керамические полупроводники, которые нашли применение в качестве резисторов вентильных разрядников и ограничителей перенапряжений. Их рассмотрим подробнее.