Проводимость полупроводников n-типа

Для получения таких полупроводников вводится примесь из пятой группы (донорная примесь).

Комнатной температуры достаточно, чтобы все электроны оторвались от атомов примеси.

При рабочих температурах проводимость мало зависит от температуры. С ростом температуры она уменьшается за счёт уменьшения подвижности.

В полупроводниках p-типа дырки называются основными носителями, электроны — неосновными.

► Электронно-дырочным (p – n) переходом называется область вблизи границы, разделяющей полупроводник с различными типа-ми проводимости.

Рассмотрим p – n-переход при отсутствии приложенного к нему напряжения.

► Дрейф — движение частиц под действием электрического поля.
► Диффузия — движение частиц под действием градиента концентрации.

Вблизи перехода возникает область неподвижных ионов примесей: в р-области отрицательных, в n-области — положительных. Концентрация подвижных носителей в этой области мала, поэтому область называется обеднённой.

Неподвижные ионы создают электрическое поле, называемое запирающим. Это поле препятствует движению основных носителей зарядов. Однако через переход проходят неосновные носители зарядов. Таким образом, общий ток через переход равен:

I _{диф р} I _{диф п} — диффузные токи, I _{др р}, I _{др п} — дрейфовые токи.