double arrow

Прямосмещённый p – n-переход

Переходы между полупроводником и металлом в данном случае должны быть омическими, иметь малое и не зависящее от направления протекания тока сопротивление.

Обеднённая зона обладает большим сопротивлением. Поэтому можно считать, что всё напряжение прикладывается к ней.

В создании диффузного тока участвуют основные носители зарядов, которых много, поэтому ток большой.R служит для ограничения прямого тока через переход.

Обратносмещённый p – n-переход

Диффузная составляющая уменьшается. Приложенное напряжение способствует тому, что дрейф остаётся. Резистор необязателен, ток оказывается маленьким. Но лучше оставить (если у нас не батарея, а источник синусоидального напряжения).

Ток дрейфа создаётся неосновными носителями. Их мало, ток маленький. Количество неосновных носителей зависит от температуры, поэтому этот ток часто называют тепловым.

В полупроводниковых приборах как правило используются несимметричные переходы - то есть концентрация примесей в p- и n областях неодинакова.

В данном случае

 

Основное свойство p – n-перехода: большая проводимость в прямом направлении и маленькая в обратном. Часто это свойство называют односторонней проводимостью.


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



Сейчас читают про: