Схема простейшего ключа на биполярном транзисторе, включенном по схеме с ОЭ, приведена на рисунке 6.3
Рисунок 6.3 – Аналоговый ключ на биполярном транзисторе
На вход ключа подается управляющий сигнал UВХ и постоянное смещение ЕСМ, определяющие состояние транзистора.
Напряжение ЕСМ подается на базу через резистор R1 для надежного запирания ключа. У кремниевых транзисторов возможна работа схемы без напряжения смещения (ЕСМ=0, R1=∞).
Зависимость UВЫХ=f(UВХ) называется характеристикой передачи ключа, она приведена на рисунке 6.4.
Рисунок 6.4 – Передаточная и выходная вольтамперная характеристики
Напряжение UВХ принимает значение уровня логического нуля UВХ0 или логической единицы UВХ1. При подаче на вход UВХ ≤ UВХ0 базовый ток транзистора IБ0=-IК0≈0 и транзистор закрыт, поэтому ток коллектора IК=IК0≈0, где IК0 – обратный ток коллекторного перехода. Выходное напряжение ключа смотри формулу (6.1)
UВЫХ = ЕК - IК0RК ≈ ЕК ≥ UВЫХ1. (6.1)
Подключение к выходу нагрузки с сопротивлением RН существенно влияет на выходное напряжение. Оно становится равным выражению (6.2)
|
|
(6.2)
и минимальное значение RН определяется допустимым снижением напряжения UВЫХ= UВЫХ1.
При подачи на вход напряжения UВХ ≥UВХ1 возникает базовый ток, смотри формулу (6.3)
(6.3)
и начинается процесс открывания ключа. Это приводит к появлению тока коллектора, величина которого зависит от положения линии нагрузки на статической характеристике.
Для повышения быстродействия ключа используют нелинейную отрицательную обратную связь (ООС). Диод подключенный между базой и коллектором создает обратную связь, возникающую только при определенных условиях, смотри рисунок 6.5.
Рисунок 6.5 – Аналоговый ключ на биполярном транзисторе с ООС