Ключ на биполярном транзисторе

 

Схема простейшего ключа на биполярном транзисторе, включенном по схеме с ОЭ, приведена на рисунке 6.3

 

 

Рисунок 6.3 – Аналоговый ключ на биполярном транзисторе

 

На вход ключа подается управляющий сигнал UВХ и постоянное смещение ЕСМ, определяющие состояние транзистора.

Напряжение ЕСМ подается на базу через резистор R1 для надежного запирания ключа. У кремниевых транзисторов возможна работа схемы без напряжения смещения (ЕСМ=0, R1=∞).

Зависимость UВЫХ=f(UВХ) называется характеристикой передачи ключа, она приведена на рисунке 6.4.

 

 

Рисунок 6.4 – Передаточная и выходная вольтамперная характеристики

 

Напряжение UВХ принимает значение уровня логического нуля UВХ0 или логической единицы UВХ1. При подаче на вход UВХUВХ0 базовый ток транзистора IБ0=-IК0≈0 и транзистор закрыт, поэтому ток коллектора IК=IК0≈0, где IК0 – обратный ток коллекторного перехода. Выходное напряжение ключа смотри формулу (6.1)

UВЫХ = ЕК - IК0RК ЕК ≥ UВЫХ1. (6.1)

 

Подключение к выходу нагрузки с сопротивлением RН существенно влияет на выходное напряжение. Оно становится равным выражению (6.2)

(6.2)

и минимальное значение RН определяется допустимым снижением напряжения UВЫХ= UВЫХ1.

При подачи на вход напряжения UВХ ≥UВХ1 возникает базовый ток, смотри формулу (6.3)

(6.3)

и начинается процесс открывания ключа. Это приводит к появлению тока коллектора, величина которого зависит от положения линии нагрузки на статической характеристике.

Для повышения быстродействия ключа используют нелинейную отрицательную обратную связь (ООС). Диод подключенный между базой и коллектором создает обратную связь, возникающую только при определенных условиях, смотри рисунок 6.5.

 

Рисунок 6.5 – Аналоговый ключ на биполярном транзисторе с ООС


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: