Ограничители сигналов

Ограничителями называются функциональные преобразователи, у которых выходное напряжение в некотором диапазоне совпадает с входным, а при выходе за границы диапазона, называемые уровнями ограничения, остаются неизменными. Различают ограничение по максимуму («сверху»), по минимуму («снизу») и двустороннее.

Основными требованиями, предъявляемыми к ограничителям, являются стабильность положения точки излома передаточной характеристики и стабильность уровней ограничения.

Широко распространены ограничители с использованием пассивных нелинейных компонентов – диодов и стабилитронов. В зависимости от способа включения их подразделяют на схемы с последовательным и параллельным включением нелинейного элемента.

Ограничители споследовательным включением диода могут производить ограничение снизу, сверху, и двустороннее. Схемы ограничителей, их передаточные характеристики и временные диаграммы при синусоидальном входном сигнале показаны на рис. 2.3. В открытом состоянии диод подключает нагрузку к источнику входного напряжения, в закрытом состоянии напряжение на нагрузке определяется источником э.д.с.


Для схем одностороннего ограничения его уровень равен Е 0. При двустороннем ограничении в схеме рис. 2.3, в нижний уровень U 2 = – E 2, верхний уровень U 1 = (E 1 R 2E 2 R 1)/(R 1 + R 2). Указанные соотношения приведены при допущении, что диоды являются идеальными. Варьируя направление включения диодов и полярности источников э.д.с., можно получать самые разнообразные вольтамперные характеристики.

В ограничителях с параллельным включением диода (рис. 2.4) ограничение на уровне, равном величине э.д.с., происходит в моменты времени, когда диод открыт. В режиме ограничения все приращения входного напряжения падают на резисторе R огр, который иногда называют балластным.

Схемы ограничителей напряжения со стабилитронами приведены на рис. 2.5. В них ограничение обеспечивается за счет вольтамперной характеристики стабилитрона, поэтому можно обойтись без введения дополнительных источников опорного напряжения.

       
   
 

Для получения одностороннего ограничения последовательно со стабилитроном включают диод. Для той полярности входного напряжения, которая ограничивается, диод включен в прямом направлении, а стабилитрон – в обратном. Для другой полярности диод включен в обратном направлении, и ограничитель не влияет на напряжение выходной цепи. Соответствующим включением стабилитрона и диода можно получить ограничение по максимуму (рис. 2.5, а), по минимуму (рис. 2.5, 6)и двустороннее (рис. 2.5, в). Для двустороннего ограничения можно использовать двуханодные стабилитроны, например, КС170А, КС182А, для которых нормирована асимметрия напряжений стабилизации.

Рассмотренные простейшие ограничители на диодах и стабилитронах имеют ряд существенных недостатков, связанных с неидеальностью вольтамперной характеристики нелинейного элемента:

─ нечеткость (скругленность) передаточной характеристики вблизи точки излома;

─ при последовательном включении диода выходное напряжение вне диапазона ограничения отличается от входного на величину прямого падения напряжения на диоде; при малых сигналах подобные схемы вообще неприменимы;

─ ограничители на стабилитронах не могут быть выполнены с произвольными уровнями ограничения из-за ограниченной номенклатуры выпускаемых промышленностью приборов;

─ температурная зависимость вольтамперной характеристики диодов и стабилитронов приводит к нестабильности порогов ограничения;

─ невозможно регулировать уровень ограничения внешним электрическим сигналом;

─ высокое выходное сопротивление, которое к тому же различно в разных режимах, приводит к тому, что передаточная характеристика ограничителя может существенно меняться при изменении сопротивления нагрузки. Так, например, для схем рис. 2.3 выходное сопротивление в режиме передачи сигнала равно прямому сопротивлению диода, а в режиме ограничения – сопротивлению резистора, включенного последовательно с источником э.д.с. Для схем рис. 2.4 и 2.5 выходное сопротивление в режиме передачи сигнала равно R огр, а в режиме ограничения определяется достаточно малым дифференциальным сопротивлением полупроводниковых приборов.

Применение ОУ позволяет существенно улучшить характеристики ограничительных устройств.

Схемы ограничителей на базе ОУ весьма разнообразны. Однако все они основаны на едином принципе – введении нелинейных элементов (диодов, транзисторов или стабилитронов) в цепь обратной связи. На рис. 2.6 показано несколько вариантов построения ограничителей с улучшенными характеристиками.

Схема рис. 2.6, а обеспечивает двустороннее ограничение с низким выходным сопротивлением во всех режимах. Уровень ограничения можно настраивать, если выполнить R2 в виде потенциометра и подключить инвертирующий вход ОУ к средней точке потенциометра. Однако проблема нечеткости и нестабильности передаточной характеристики здесь не решена.


Схема рис. 2.6, б выполняет прецизионное ограничение сверху. При U вх < U огр на выходе ОУ имеет место положительное напряжение насыщения, диод заперт и не оказывает влияния на передачу сигнала. При U вх > U огр напряжение на выходе ОУ становится отрицательным, диод открывается, замыкается цепь ООС, и в соответствии с принципом мнимой земли выходное напряжение поддерживается равным U огр с высокой точностью. Здесь имеется возможность электрически регулировать уровень ограничения. Изменив направление включения диода, получаем ограничение снизу. Единственным недостатком схемы является значительное выходное сопротивление в режиме передачи сигнала, равное R.

Схема рис. 2.6, в сочетает низкое выходное сопротивление во всех режимах с высокой точностью ограничения. При U вых < U огр на выходе верхнего по схеме ОУ имеет место отрицательное напряжение насыщения, диод заперт, и схема работает в режиме инвертирующего усилителя, причем коэффициент усиления можно устанавливать выбором R 1 и R 2. Если же U вх таково, что U вых стремится превысить U огр, то диод открывается и за счет ООС поддерживается соотношение U вых = U огр.


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: