Попередня підготовка до експериментів

1. Користуючись рекомендованою літературою та конспектом лек­цій, вивчіть основні теоретичні положення з теми лабораторної роботи та дайте письмові відповіді на контрольні запитання, поміщені в кінці цих методичних вказівок.

2. Проведіть попередній розрахунок простою підсилювача на біполяр­ному транзисторі, поданого на рис. 4.4,а. Для цього:

а) перерисуйте з довідника з напівпровідникових приладів вхідні та вихідні статичні ВАХ заданого типу транзистора та перепишіть його гранично допустимі пара­метри: IK max та UKE max. На вихідні характеристики транзистора нанесіть криву максимальної потужності;

б) виберіть значення RK та ЕK, виходячи з вимог, поставлених в основних теоретичних положеннях цих методичних вказівок;

в) нанесіть на вихідні статичні ВАХ БТ навантажувальну пряму, яка відповідатиме вибраним значенням RK та ЕK, і на її основі побудуйте передавальну характеристику транзистора ІK = f(IБ);

г) виберіть на побудованій передавальній характеристиці та статичних ВАХ БТ робочу точку транзистора, тобто визначте постійні струми і напруги IБ0, UБE0, IK0, UKE0, необхідні для того, щоб ввести транзистор в під­силювальний режим;

д) розрахуйте значення опору RБ, необхідного для забезпечення жив­лення базового кола, тобто для забезпечення зміщення бази транзистора;

е) на основі стичних ВАХ визначте в робочій точці h-параметри транзистора і на їх підставі розрахуйте вхідний і вихідний опори та коефіцієнти підси­лення напруги, струму і потужності підсилювача. Для розрахунку скористайтеся формулами:

(4.10)

; (4.11)

; (4.12)

; (4.13)

. (4.14)

Опір навантаження RН виберіть таким же як RК. Результати розрахунків запишіть в табл. 4.2.

Таблиця 4.2


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: