Студопедия


Авиадвигателестроения Административное право Административное право Беларусии Алгебра Архитектура Безопасность жизнедеятельности Введение в профессию «психолог» Введение в экономику культуры Высшая математика Геология Геоморфология Гидрология и гидрометрии Гидросистемы и гидромашины История Украины Культурология Культурология Логика Маркетинг Машиностроение Медицинская психология Менеджмент Металлы и сварка Методы и средства измерений электрических величин Мировая экономика Начертательная геометрия Основы экономической теории Охрана труда Пожарная тактика Процессы и структуры мышления Профессиональная психология Психология Психология менеджмента Современные фундаментальные и прикладные исследования в приборостроении Социальная психология Социально-философская проблематика Социология Статистика Теоретические основы информатики Теория автоматического регулирования Теория вероятности Транспортное право Туроператор Уголовное право Уголовный процесс Управление современным производством Физика Физические явления Философия Холодильные установки Экология Экономика История экономики Основы экономики Экономика предприятия Экономическая история Экономическая теория Экономический анализ Развитие экономики ЕС Чрезвычайные ситуации ВКонтакте Одноклассники Мой Мир Фейсбук LiveJournal Instagram

Попередня підготовка до експериментів




1. Користуючись рекомендованою літературою та конспектом лек­цій, вивчіть основні теоретичні положення з теми лабораторної роботи та дайте письмові відповіді на контрольні запитання, поміщені в кінці цих методичних вказівок.

2. Проведіть попередній розрахунок простою підсилювача на біполяр­ному транзисторі, поданого на рис. 4.4,а. Для цього:

а) перерисуйте з довідника з напівпровідникових приладів вхідні та вихідні статичні ВАХ заданого типу транзистора та перепишіть його гранично допустимі пара­метри: IK max та UKE max. На вихідні характеристики транзистора нанесіть криву максимальної потужності;

б) виберіть значення RK та ЕK, виходячи з вимог, поставлених в основних теоретичних положеннях цих методичних вказівок;

в) нанесіть на вихідні статичні ВАХ БТ навантажувальну пряму, яка відповідатиме вибраним значенням RK та ЕK, і на її основі побудуйте передавальну характеристику транзистора ІK = f(IБ);

г) виберіть на побудованій передавальній характеристиці та статичних ВАХ БТ робочу точку транзистора, тобто визначте постійні струми і напруги IБ0, UБE0, IK0, UKE0, необхідні для того, щоб ввести транзистор в під­силювальний режим;

д) розрахуйте значення опору RБ, необхідного для забезпечення жив­лення базового кола, тобто для забезпечення зміщення бази транзистора;

е) на основі стичних ВАХ визначте в робочій точці h-параметри транзистора і на їх підставі розрахуйте вхідний і вихідний опори та коефіцієнти підси­лення напруги, струму і потужності підсилювача. Для розрахунку скористайтеся формулами:

(4.10)

; (4.11)

; (4.12)

; (4.13)

. (4.14)

Опір навантаження RН виберіть таким же як RК. Результати розрахунків запишіть в табл. 4.2.

Таблиця 4.2





Дата добавления: 2018-01-08; просмотров: 149; Опубликованный материал нарушает авторские права? | Защита персональных данных | ЗАКАЗАТЬ РАБОТУ


Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском:

Лучшие изречения: Как то на паре, один преподаватель сказал, когда лекция заканчивалась - это был конец пары: "Что-то тут концом пахнет". 7572 - | 7219 - или читать все...

 

54.196.208.187 © studopedia.ru Не является автором материалов, которые размещены. Но предоставляет возможность бесплатного использования. Есть нарушение авторского права? Напишите нам | Обратная связь.


Генерация страницы за: 0.001 сек.