2018-01-08
431
4.1 У залежності від завдання і вихідних даних у таблиці 3.1 і табли-ці 3.2 потрібно визначити: 
, S чи d. Для цього необхідно використовувати формулу ємністі (З) плоского конденсатора:
, Ф
де - відносна діелектрична проникність діелектрика;
=8,854∙10-12 - діелектрична проникність вакууму (діелектрична постійна),
S -площа пластин електродів, м2;
d - товщина діелектрика, м.
Примітка. Величина ємністі (С) кожного конкретного конденсатора виміряється за допомогою моста змінного струму типу Р5079.
4.2 Величину діелектричної проникністі sr для діелектриків циліндричних конденсаторів (див. табл. 3.3) визначати з формули:
, Ф,
де h — висота пластин електродів циліндричних конденсаторів, м;
D1 і D2 -відповідно внутрішній і зовнішній діаметри конденсаторів, м;
n = 6 — число шарів діелектрика в циліндричних конденсаторах.
Значення зазначених параметрів h, D1 і D2 приведені в п. 3.9 і
таблиці 3.3.
4.3 Величину питомого об'ємного опору діелектрика конденсатора pv визначати з формули:
|
|
|
,
де f = 1000 Гц - частота напруги генератора вимірювального моста змінного струму;
εr - відносна діелектрична проникність діелектрика досліджуваного конденсатора (див. п. 4.1 і п. 4.2);
ρv - питомий об'ємний опір діелектрика конденсатора, Ом·м.
4.4 Величину активної потужності, що розсіюється, у діелектриках конденсаторів визначати по формулі:
, Вт,
де U - напруга, подавана на конденсатор, У (див. п. 2);
- кутова частота, пер/с;
С - ємність конденсатора, Ф;
tg δ - тангенс кута діелектричних втрат.
4.5 Для одного з плоских конденсаторів визначеної ємності (за указівкою викладача) установити його схему заміщення і визначити струм витоку через діелектрик конденсатора. По величині струму через активний елемент схеми заміщення (Rиз) визначити величину активної потужності, що розсіюється (Ра), і порівняти її з результатами розрахунку в п. 4.4 Використовуючи схему заміщення, визначити кут діелектричних утрат (δ).
Величину опору ізоляції (Rиз) визначати по формулі:
, Ом,
де pv - питомий об'ємний опір діелектрика конденсатора, Ом-м (див. п. 4.3.);
d - товщина діелектрика, м;
S-площа пластин електродів конденсатора, м2.
Отримані розрахункові дані відбити у висновках по проведеній роботі.
Зміст звіту
5.1 Ціль роботи.
5.2 Блок-схема автоматичного моста змінного струму типу Р5079.
5.3 Короткі вказівки по виконанню лабораторної роботи.
5.4 Таблиці вимірів і обчислень, розрахункові формули.
5.5 Графіки залежностей ємністі конденсатора від товщини діелектрика, 
за даними таблиці 3.1 від площі пластин електродів, 
за даними таблиці 3.2.
|
|
|
5.6 Схема заміщення конденсатора і векторна діаграма (за дани-
ми п. 4.5).
5.7 Висновки за результатами вимірів і обчислень.
