Вольт-амперная характеристика диода

Глава 2

Полупроводниковые диоды

Рис.2.1

Полупроводниковый диод представляет собой полупроводниковый прибор с одним p-n переходом и двумя выводами. Большинство диодов изготовлены на основе несимметричного p-n-перехода. При этом одна из областей диода, обычно (р⁺) высоколегированна и называется эмиттер, другая слаболегированная область (n) получила название - база. Р-n - переход размещается в базе т.к она слаболегирована. Структура, условное обозначение и название выводов показаны на рис. 2.1.Между каждой внешней областью полупроводника и ее выводом имеется омический контакт, который на рис. 2.1 показан жирной чертой.

В зависимости от технологии изготовления различают: точечные диоды, сплавные и микросплавные, с диффузионной базой, эпитаксиальные и др.

По функциональному назначению диоды делятся на: выпрямительные, универсальные, импульсные, стабилитроны и стабисторы, варикапы, тунельные и обращенные, а также СВЧ-диоды и др.

Вольт-амперная характеристика диода

В реальном диоде прямая (кривая 1, рис.2.2) и обратная ветви вольт амперной характеристики (ВАХ) отличаются от ВАХ p-n-перехода.

При прямом смещении необходимо учитывать объёмное сопротивление областей базы r_б и эмиттера r_э диода (рис.2.3.), обычно r_б>>r_э. Падение напряжения на обьемном сопротивлении от тока диода, становятся существенным при токах, превышающих единицы миллиампер. Кроме того, часть напряжения падает на сопротивлении выводов. В результате напряжение непосредственно на р-n-переходе будет меньше напряжения, приложенного к внешним выводам диода. Это приводит к смещению прямой ветви ВАХ вправо (кривая 2, рис.2.2) и почти линейной зависимости от приложенного напряжения. ВАХ диода с учетом объемного сопротивления определяется выражением

,

где U_пр — напряжение, приложенное к выводам; r — суммарное сопротивление базы и электродов диода, обычно r=r_б.

Обратная ветвь диода зависит от величины обратного напряжения, т.е. наблюдается рост обратного тока. Это объясняется тем, что обратный ток диода состоит из трех составляющих:

I_обр =I₀ + I_тг + I_ут

где I₀ – тепловой ток перехода; I_тг – ток термогенерации. Он возрастает с увеличением обратного напряжения. Это связано с тем, что p-n перехода расширяется, а следовательно увеличивается количество неосновных носителей, образующихся в нем за счёт термогенерации. Ток термогенерации дает основной вклад в обратный ток диода. Он на 4-5 порядка больше тока I₀.

I_ут – ток утечки. Он связан конечной величиной проводимости поверхности кристалла, из которого изготовлен диод. В современных диодах он всегда меньше термотока.