2018-01-21
2876
Это схема, состоит из электрических элементов, которые учитывают физические процессы, происходящие в p-n переходе, и влияние элементов конструкции на электрические свойства.
Эквивалентная схема замещения p-n переходеа при малых сигналах, когда можно не учитывать нелинейных свойств диода приведена на рис.2.4.
Здесь Сд — общая емкость диода, зависящая от режима; Rп = Rдиф — дифференциальное сопротивление перехода, значение которого определяют с помощью статической ВАХ диода в заданной рабочей точки (Rдиф = DU/DI|U=const); rб — распределенное электрическое сопротивление базы диода, его электродов и выводов, Rут – сопротивление утечки. Иногда схему замещения дополняют емкостью между выводами диода СВ, емкостями Свх и Свых (показаны пунктиром) и индуктивностью выводов LВ.
Эквивалентная схема при больших сигналах аналогична предыдущей (рис.2.5), однако в ней учитываются нелинейные свойства р-n- перехода путем замены дифференциального сопротивления Rдиф на зависимый источник тока I=I0(eU/jT – 1).
