2015-04-17
507
При включении диода в прямом направлении через него течет большой диффузионный ток, ограниченный резистором Rн.
При этом в базе накапливается объемный заряд неосновных носителей, связанный с инерционностью движения неравновесных зарядов.
в)
Рис.7.2 Схема включения (а) и переходные процессы (б) в импульсном диоде с p-n переходом; образование объемного заряда (в)
При переключении диода с прямого направления на обратное, в начальный момент времени, через диод идет большой обратный ток, ограниченный в основном объемным сопротивлением базы, обусловленный рассасывания неосновных носителей в базе.
С течением времени накопленный заряд в базе диода рассасывается (неосновные носители в базе рекомбинируют илиуходят из базы через р-n переход, после чего обратный ток уменьшается до своего стационарного значения.
Переходный процесс, в течение которого обратное сопротивление полупроводникового диода восстанавливается до постоянного значения после быстрого переключения с прямого направления на обратное, называют восстановлением обратного сопротивления диода.
Время восстановления обратного сопротивления диода – основной параметр импульсного диода.
Первые импульсные диоды – точечные диоды, сейчас вытеснены диодами изготовленными методом эпитаксиального наращивания.
