ВАХ полевого транзистора (математическая модель)

Транзистор с управляющим n-p-переходом. Поведение выходных характеристик в начальной области можно описать выражением:

(4.1)

Здесь I_{c нас} – начальный ток стока при U_зи=0; U_{зи отс} – напряжение отсечки; U_зи – текущее напряжение на затворе, которое является параметром для данного семейства; U_cи – текущее напряжение на стоке.

В области насыщения выходные характеристики описываются приближенным выражением:

(4.2)

Транзистор с изолированным затвором. Для транзистора с индуцированным каналом зависимость тока стока от напряжения на начальном участке выходных ВАХ может быть описана как

(4.3)

где S_уд – удельная крутизна, зависящая от конструкции транзистора, материала и размеров проводящего канала:

. (4.4)

Продифференцировав (4.3) по переменной U_си и приравняв производную нулю, получим

(4.6)

Подставив U_синас в (4.3), получим выражение для тока в области насыщения:

(4.7)

Характеристики транзистора со встроенным каналом аналитически с достаточной точностью описываются выражениями (4.3) и (4.7), если в этих формулах под напряжением отсечки U_{зи отс} понимать напряжение, при котором встроенный канал перекрывается.