Принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом

Принцип работы рассмотрим по физическим моделям, приведенным на рис.4.3.

 

 

Рис.4.3

 

1. U_си=0. Область обеднённая носителями заряда, располагается в объёме канала, причём она имеет одинаковую толщину по его длине. Напряжение U_зи позволяет управлять сечением проводящей части канала, а следовательно и сопротивлением исток-сток.. В таком режиме полевой транзистор, выполняет роль переменного сопротивления управляемого U_зи.

При U_зи<U_{зи отсечки} смыкание канала происходит на стоке. В этом случае весь канал представляет собой область обеднённую носителями зарядов. R_си , I_с=0. Это режим отсечки тока стока.

2. 0<U_зи<U_{си нас}. По каналу протекает ток стока, создавая на его объёмном сопротивлении потенциал, который неодинаков по длине канала. Максимальный он у стока, а минимален у истока. Это приводит к тому, что проводящая часть канала разную ширину - у стока уже, чем у истока.

3. При U_си= U_{си нас} происходит смыкание проводящей части канала у стока.

4. U_{си наc}> U_си. Смыкание происходит в объёме канала. При этом I_с с возрастанием U_си, не увеличивается. Это режим насыщения транзистора. Наличие тока стока I_с, объясняется инжекцией носителей заряда в обеднённую область.