2017-11-01
317
ВВЕДЕНИЕ
Рис. 1. Функция распределения интенсивности отказов N(λ) для различных классов изделий электронной техники. Область 1 – силовые и крупногабаритные приборы, характеризуются сравнительно малой надежностью (λ ≥ 10-4 ч-1); область 2 - приборы со средним уровнем мощности, обладают средней степенью надежности (10-4 ≥ λ ≥ 10-6 ч-1);
область 3 – приборы с высокой надежностью, например, БИС, УБИС,
СБИС (10-6 ≥ λ ≥ 10-9 ч-1); область 4 – приборы со сверхвысокой надежностью, например, элементы ИМС, (λ ≤ 10-9 ч-1).
ПРИМЕЧАНИЕ. Приведенная зависимость справедлива на данный «исторический момент» развития техники, со временем максимум зависимости смещается влево
Рис. 2. Увеличение диаметра пластин Si в полупроводниковом производстве за последние 20 лет
Рис. 3. Внешний вид и размеры современного слитка Si (диаметр 450 мм, длина более 2-х метров, масса порядка 1000 кг)
ОСНОВНЫЕ ГРУППЫ ФАКТОРОВ, ВЛИЯЮЩИХ НА НАДЕЖНОСТЬ
Изделий полупроводниковой электроники
|
|
|
Таблица 1.1
Влияние различных факторов на отказ изделий микроэлектроники
| Причины возникновения отказа | Процент отказа ИЭТ |
| Ошибки: этапа проектирования этапа производства | |
| 40-45 | |
| Нарушения режимов эксплуатации, ТО, ремонта и др. | |
| Деградация физико-химических свойств материалов в процессе эксплуатации, естественное старение при хранении | 5 - 7 |
ВНЕШНИЕ ФАКТОРЫ (температура и влажность окружающей среды,, климатические воздействия, влияние радиации механические воздействия)
Рис. 3.1. ВАХ Si диода при 20о С и 125о С. Масштабы прямой и обратной ветвей различаются. При повышении температуры усиливается генерация пар носителей заряда, их концентрация возрастает. При этом растет собственная проводимость, что вызывает рост прямого и обратного токов. Для Ge диода обратный ток возрастает примерно в 2 раза при повышении температуры на каждые 10о С, а для Si ток возрастает примерно в 2,5 раза. Прямой ток при нагреве растет не так заметно, так как он возникает за счет примесной проводимости, а концентрация примеси не зависит от температуры
