Основные термины и определения
ГОСТ17021-88 дает следующие определения основным терминам микроэлектроники (МЭ):
ИМС - микроэлектронное изделие, выполняющее определенные функции преобразования, обработки, сигнала и (или) накапливания информации и имеющая высокую плотность упаковки электрических соединений элементов, которые с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации рассматриваются, как единое целое.
Цифровая ИМС – МС, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции.
Аналоговая ИМС – МС предназначена для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции.
Корпус ИС – часть конструкции ИС, предназначенная для защиты микросхемы от внешних воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями посредством выводов. Типы и размеры корпусов, расположение и число выводов стандартизовано ГОСТ17467-79.
Полупроводниковые пластины – заготовка из полупроводникового материала, предназначенная для изготовления полупроводниковой ИМС (чаще кремниевые пластины). Этим термином пользуются в течение всего процесса изготовления ИМС от первоначальной заготовки до пластины со сформированными МС, готовыми к разделению на отдельные кристаллы.
|
|
Кристалл – часть пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой МС, межэлементные соединения и контактные площадки.
Бескорпусная ИМС - кристалл МС, предназначенный для монтажа в гибридную ИМС или микросборку. Такая ИМС не имеет защиты от внешних воздействий. Ее защита обеспечивается корпусом устройства, в который она устанавливается. Степень интеграции ИС – показатель степени сложности МС, характеризующийся числом содержащихся в ней элементов. Обычно подсчитываются только активные элементы транзисторов k=lg N, N – число компонентов МС (транзисторы) k - коэффициент оценки степени интеграции (округлено до ближайшего целого). Следует отметить, что достигнутый уровень интеграции в нескольких млн. компонентов относится к цифровым ИМС. Степень интеграции аналоговых МС намного меньше. (>300 - БИС).
Основы технологии ИМС
1. Подготовка пластины:
1). Выращивание заготовок из расплава кремния (1412°С)
2). Точение цилиндра
3). Резка на пластины, толщиной 0.08 – 0.05
4). Шлифовка, очистка поверхности (0.03мкм)
5). Выращивание слоя полупроводникового материала на кристаллической подложке (эпитаксия)
2H2 + SiCl4 = Si¯ + 4Cl при температуре 1200 ± 3 °С.
2. Изготовление фотошаблонов:
1). Разработка рисунков фотошаблонов и фотомасок на тех. процесс
|
|
2). Редукция (уменьшение) фотошаблонов и перенесение их на толстые стеклянные пластинки
3). Литография – процесс формирования маски на поверхности пластины. Маска закрывает участки пластины, которые не должны подвергаться обработке. Открытые участки предназначены для локального легирования, травления, напыления и др. операций. Основной способ – фотолитография. При этом используют фоторезисты - это пленки полимеров, чувствительные к ультрафиолетовому излучению, рентгену, или потоку элементов. Различают негативные фоторезисты – удаляются не засвеченные участки, и позитивные фоторезисты – удаляются засвеченные участки.
Травление – это удаление поверхностного слоя в соответствии с нанесенной маской резиста. Образуются канавки, создается необходимый рельеф поверхности, формируются окна в многослойных кристаллах.
Легирование – диффузионный процесс введения примесей в полупроводниковую пластину или пленку (кремний), используют газообразные или жидкие соединения бора, мышьяка, фосфора. В результате, в объеме пластины полупроводника кремния создают области с различной проводимостью.
Окисление – служит для формирования на поверхности пленки диоксида кремния, которая в дальнейшем может использоваться как маска для операций травления и диффузии, для изоляции кремниевых слоев друг от друга, для защиты поверхности кремния от влаги и т.п.
Напыление – используют для создания соединительных проводников, резисторов, конденсаторов, слоев изоляции. Применяют алюминий, поли кремний, тантал (Ta), W, Mo, Au, Pt, научились использовать Cu; диэлектрические пленки (изоляция) Ta2O5, SiO2.
3. Контроль и резка пластин:
Кремниевая пластина поступает на автоматизированную линию контроля работоспособности.
4. Монтаж в корпус:
1). Ориентировка кристалла
2). Крепление к изоляционной прокладке (пайка или склеивание)
3). Монтаж выводов. Присоединение контактных площадок кристалла к выводам корпуса
4). Герметизация корпуса
5. Контроль готовых микросхем:
Проверка правильности функционирования (делят по классам).
Корпуса микросхем
Основное назначение: защита кристалла микросхемы от внешних воздействий. По конструктивно-техническому признаку различают следующие виды корпусов:
1). Металлостеклянные – металлическая крышка, стеклянное или металлическое основание, крепление выводов стеклом
2). Металлокерамические
3). Стеклокерамические – керамические крышки и основания, скрепленные стеклом
4). Пластмассовые.
|
Например, корпус:
ГОСТом установлено 5 типов корпусов:
Тип 1.
Корпус прямоугольный, круглые, располагаются ^ плоскости микросхемы в приделах проекции корпуса, рядами. Установлено от 7 до 304 выводов.
[A1] Тип 2.
Корпус прямоугольный, выводы прямоугольные, плоские, располагаются перпендикулярно корпусу за пределами проекции корпуса вдоль длинной стороны, количество выводов 6¸26.
Подтип 21 Подтип 22
Тип 3.
Корпус круглый, выводы (от 8 до 32) круглые в сечении, располагаются в пределах проекции или за пределами по окружности перпендикулярно корпусу.
Тип 4.
Корпус прямоугольный, выводы прямоугольные в сечении, располагаются по двум или четырем сторонам в плоскости корпуса.
Тип 5.
Корпус прямоугольный, выводов нет, с контактными площадками, размещенными в плоскости основания вдоль четырех сторон (шаг 1.25).