Одной из наиболее важных характеристик транзистора является статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером h 21 э , представляющий собой отношение управляемого тока коллектора к управляющему току базы:
h 21 Э =(IК – IКБО)/(IБ – IКБО).
Величина h 21 Э , может измеряться как на постоянном токе, так и на импульсном. Поскольку в первом случае необходимо учитывать составляющую обратных токов и возможность перегрева испытуемого транзистора, более предпочтительным является второй метод, наиболее распространенная схема которого показана на рис. 3.6.
В данном устройстве ток эмиттера fЭ является постоянной величиной, а ток базы IБ – измеряемой. Поскольку (h 21 Э +1)= IЭ / IБ, то градуировка шкалы измерительного прибора должна быть обратной, что является недостатком метода. Достоинство же заключается в том, что отсутствует влияние обратных токов и не требуется перестройки режима при смене транзисторов.
Параметрами, характеризующими работу транзисторов в режиме насыщения, являются напряжение насыщения коллектор – эмиттер UКЭ нас и напряжение насыщения база-эмиттер UБЭ нас, схема измерения которых показана на рис. 3.7.
|
|
Измерение этих параметров маломощных транзисторов чаще всего производится на постоянном токе. Транзисторы средней и большой мощности исследуются в импульсном режиме, когда-либо оба источника, либо один – базовый – выдают импульсы напряжения, что резко сокращает габаритные размеры источников питания и уменьшает разогрев транзистора. В этом случае измеритель остаточных напряжений представляет собой импульсный вольтметр.
Рис. 3.6. Рис. 3.7.
Работа транзисторов в области отсечки характеризуется величинами обратных токов.
Схема измерения обратного тока коллектора IКБО показана на рис. 3.8. В качестве индикатора можно использовать стрелочный прибор или УПТ. Обратный ток эмиттера IЭБО и обратный ток коллектор – эмиттер при заданном сопротивлении в цепи базы IКЭR измеряются аналогичным способом.
Рис. 3.8.
Нужно отметить, что во всех устройствах, измеряющих параметры транзисторов при большом сигнале, содержится целый ряд базовых узлов:
– источники постоянного напряжения на коллекторе;
– источники импульсного тока базы, коллектора и эмиттера;
– импульсные милливольтметры и вольтметры;
– усилители постоянного тока;
– приспособления для подключения испытуемых транзисторов.