2020-01-14
266
Для разрабатываемого устройства тарнзисторы выбирались по исходному материалу, рассеиваемой мощности, диапазону рабочих частот, принципу действия. Для PIC контроллерного устройства измерения временных величин сигналов, а именно для его входной части усилителя–формирователя подошли транзисторы
КП313А (маломощный полевой транзистор) и КТ368А (высокочастотный маломощный транзистор). Их основные параметры представлены в таблицах 1.8 и 1.9.
Таблица 1.8
| Параметр | Значение |
| Обратный ток коллектора при Uкб | 0,5/15 мкА |
| Обратный ток эмиттера при Uэб | 1/4 мкА |
| Входное сопротивление | 6 Ом |
| Коэффициент передачи тока | 50…300 |
| Коэффициент обратной связи | — |
| Граничная частота коэффициента передачи | 900 МГц |
| Емкость коллекторного перехода | 1,7 пФ |
| Коэффициент шума | 3,3 Б |
| Рассеиваемая мощность без теплоотвода | 225 мВт |
| Температура окружающей среды | +125 — -60 |
| Общее тепловое сопротивление | 0,36 оС/мВт |
Таблица 1.9
| Параметр | Значение |
| Начальный ток стока | — |
| Крутизна характеристики | 5…10,5 мА/В |
| Напряжение отсечки | ³6 В |
| Ток утечки затвора | 10 нА |
| Коэффициент шума | 7,5 дБ |
| Входная емкость | 7 пФ |
| Проходная емкость | 0,8 пФ |
| Постоянная рассеиваемая мощность | 120 мВт |
| Температура окружающей среды | +85 — -45 |
| Общее тепловое сопротивление | — |
|
|
|
Описание используемых диодов
Импульсные диоды предназначены для преобразования импульсных сигналов.
Основные параметры импульсных диодов: импульсное прямое напряжение диода Uпр. и — наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода. Импульсное обратное напряжение диода Uобр. и — мгновенное значение обратного напряжения диода. Импульсный прямой ток диода Iпр. и — наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи. Общая емкость диода Сд — значение емкости между выводами диода. Время прямого восстановления диода tвос. пр — время, в течении которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, да установившегося значения. Время обратного восстановления диода tвос. обр — время переключения диода с прямого тока на обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения. Заряд восстановления диода Qвос — накопленный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с прямого тока на обратное напряжение.
В таблице 1.10 приведены основные параметры диода КД503Б.
Таблица 1.10
| Тип | Максимально допустимый импульсный прямой ток, мА, при tИ = 10 мкс
| Максимально допустимый постоянный или средний прямой ток, мА | Импульсное прямое напряжение, В | Максимально допустимое импульсное постоянное обратное напряжение, В | Максимальный обратный ток, мкА, при Uобр max | Время обратного восстановления диода, мкс | Общая емкость диода, пФ | Температура окружающей среды, оС | |||
| от | до | ||||||||||
| КД503Б | 200 | 20 | 3,5 | 30 | 10 | 0,01 | 2,5 | -40 | +85 | ||
