Атомо-рассеивающий фактор и распределение радиальной электронной плотности в литии по комптоновским профилям

Волновая функция, описывающая основное состояние лития – 1 s ² 2 s ² в первом приближении может быть представлена в виде простого произведения по методу Хартри

                               (2.3.9)

где  и  - волновые функции основного состояния 1s водородоподобного атома, зависящую только от радиальных координат,  волновая функция, описывающая основное состояние 2s водородоподобного атома, также зависящую только от радиальной координаты.

Функция аппроксимирующая КП лития рассчитывается по формуле:

, (2.3.10)

где μ₁, μ₂, μ₃ вариационные параметры.

На рисунке (2.3.3) показан экспериментально полученный КП лития (точки) и аппроксимирующая кривая (сплошная линия), полученная по формуле (2.3.10) с вариационными параметрами μ₁ = 0,44, μ₂ = 0,9, μ₃ = 100.

Радиальная электронной плотность будет описываться уравнением с полученными значениями вариационных параметров

На рисунке (2.3.4) приведён график радиальной электронной плотности лития и водорода.

Выражение для атомно-рассеивающего фактора будет иметь вид:

,

где

Как видно из рисунка (2.3.4),максимальное значение электронной плотности лития значительно превышает это значение для алмаза на малых расстояниях от ядра (порядка 0,01Å). [23]

На рисунке (2.3.5) приведены графики атомно-рассеивающего фактора лития, пунктирная линия – теоретически рассчитанная для уединённого атома и сплошная линия – экспериментально полученная численными методами для структурированного состояния из КП.

Рис. 2.3.5. Экспериментально полученные значения атомно-рассеивающего фактора от поликристаллического лития (1). теоретически рассчитанные данные для уединенного атома лития (2) [32],.

Из рисунка 2.3.5 видно существенное различие атомно – рассеивающего фактора для структурированного состояния и уединённого атома лития.

Глава 3. Методика измерений и обработки результатов